[发明专利]埋藏沟道晶体管及其形成方法

说明书

一种埋藏沟道晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成阱区；在阱区内形成反型掺杂区，反型掺杂区中掺杂的类型与阱区中掺杂的类型相反，且反型掺杂区的深度小于阱区的深度；在所述反型掺杂区的上方的半导体衬底表面上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极，所述栅电极的中掺杂有杂质离子，所述栅电极中掺杂的类型与阱区的类型相同；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区，所述源区和漏区中掺杂类型与阱区中的杂质离子类型相反，源区和漏区的深度小于阱区的深度且大于反型掺杂区的深度。本发明方法形成的晶体管防止了闪烁噪音的产生，提高了器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种埋藏沟道晶体管及其形成方法。

背景技术

金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管是半导体制造中的最基本器件，其广泛适用于各种集成电路中，根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，分为NMOS和PMOS晶体管。

现有技术提供了一种MOS晶体管的制作方法。包括：提供半导体基底，在所述半导体基底形成隔离结构，所述隔离结构之间的半导体基底为有源区，在所述有源区内形成阱区(未示出)；通过第一离子注入在阱区表面掺杂杂质离子，以调节后续形成的晶体管的阈值电压；在所述隔离结构之间的半导体基底上依次形成栅介质层和栅电极，所述栅介质层和栅电极构成栅极结构；进行氧化工艺，形成覆盖所述栅极结构的氧化层；进行浅掺杂离子注入，在栅极结构两侧的半导体基底内形成源/漏延伸区；以所述栅极结构为掩膜，对栅极结构两侧的阱区进行深掺杂离子注入，深掺杂离子注入的能量和剂量大于浅掺杂离子注入的能量和剂量，在栅极结构两侧的阱区内形成源区和漏区，所述源区和漏区的深度大于源/漏延伸区的深度。

但是，现有技术形成的晶体管的性能仍有待提升。

发明内容

本发明解决的问题是怎样防止现有的晶体管的闪烁噪音的产生。

为解决上述问题，本发明提供了一种埋藏沟道晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成阱区；在所述阱区内形成反型掺杂区，所述反型掺杂区中掺杂的杂质离子的类型与阱区中掺杂的杂质离子的类型相反，且反型掺杂区的深度小于阱区的深度；在所述反型掺杂区的上方的半导体衬底表面上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅电极，所述栅电极的中掺杂有杂质离子，所述栅电极中掺杂的杂质离子的类型与阱区中掺杂的杂质离子的类型相同；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区，所述源区和漏区中掺杂的杂质离子的类型与阱区中的杂质离子类型相反，源区和漏区的深度小于阱区的深度且大于反型掺杂区的深度。

可选的，当形成的晶体管为N型的晶体管时，所述阱区中掺杂的杂质离子中的杂质离子类型为P型，反型掺杂区中掺杂的杂质离子的类型为N型，栅电极中掺杂的杂质离子的类型为P型，源区和漏区中掺杂的杂质离子的类型为N型。

可选的，当形成的晶体管为P型的晶体管时，所述阱区中掺杂的杂质离子中的杂质离子类型为N型，反型掺杂区中掺杂的杂质离子的类型为P型，栅电极中掺杂的杂质离子的类型为N型，源区和漏区中掺杂的杂质离子的类型为P型。

可选的，所述杂质离子类型为N型时，所述杂质离子为磷离子、砷离子或锑离子中的一种或几种；所述杂质离子类型为P型时，所述杂质离子为硼离子、镓离子或铟离子中的一种或几种。

可选的，所述反型掺杂区的形成工艺为离子注入。

可选的，晶体管工作时，所述反型掺杂区与阱区之间形成的PN结作为埋藏沟道。

可选的，所述反型掺杂区的宽度大于栅电极的宽度。