[发明专利]用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法，通过强酸环境中钯离子及还原剂与半导体材料和金属表面发生强氧化还原反应在半导体材料和金属表面置换出一层钯晶种，其后在钯化学镀液中通过镀液的自激发在钯晶种上持续沉淀钯金属，从而在半导体材料和金属表面获得一定厚度的钯金属层形成背面通孔金属化种子层。该方法与传统溅射金属种子层技术相比具有工艺简单、工艺质量好、成品率高、使用范围广、成本低等优点，具有良好的市场应用前景。

主权项

一种用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法，其特征在于：所示方法包括以下步骤：S1、备片：将半导体圆片与载体片键合后进行背面工艺步骤从而形成通孔，所述背面工艺依次包括减薄、抛光、背孔刻蚀及去胶；S2、清洗：将步骤S1中得到的半导体圆片通过等离子体去胶、清洗，确保工艺前半导体圆片背面、孔底金属表面以及孔内半导体表面的干净；S3、活化：将步骤S2得到的已清洗的半导体圆片浸泡于钯活化液中活化，通过氧化还原反应在半导体材料和孔底金属表面置换出一层钯晶种；S4、化学镀钯：将已活化的半导体圆片浸泡在钯化学镀液中进行化学镀，通过镀液的自激发在钯晶种上持续沉淀钯金属至目标厚度，完成电镀种子层的制作；S5、背面通孔金属化：将已化学镀钯的半导体片进行背面电镀，利用孔底金属完成背面通孔金属化。