[发明专利]具有上覆栅极结构的鳍式电阻器在审
| 申请号： | 201511000313.8 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105742275A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | J·辛格 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有上覆栅极结构的鳍式电阻器。一种电阻器装置，包括掺有第一类型掺质的电阻器本体、设置于电阻器本体上面的绝缘层、以及设置于绝缘层上面且设置于电阻器本体上面的至少一个栅极结构。一种方法，包括对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设置于掺有第一类型掺质的电阻器本体上面，用以影响电阻器本体的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 结构 电阻器 | ||
【主权项】：
一种电阻器，其包含：电阻器本体，其掺有第一类型掺质；绝缘层，其设置于该电阻器本体上面；以及至少一个栅极结构，其设置于该绝缘层上面且设置于该电阻器本体上面。
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