[发明专利]半导体结构及其制作方法

摘要

一种半导体结构及其制作方法，在形成多层金属互连层同时形成与其电绝缘的伪金属互连层，该伪金属互连层至少包括一层伪顶层金属图案，该伪顶层金属图案与金属互连层中的顶层金属图案同层；在顶层金属图案上形成导电插塞时，在伪顶层金属图案上形成网状金属支撑结构，该网状金属支撑结构的网眼内填充有介电材料；在导电插塞以及网状金属支撑结构上形成焊垫，该焊垫包括被钝化层覆盖的边缘区域以及暴露的中心区域，焊垫边缘区域与金属互连层电连接，焊垫中心区域由网状金属支撑结构支撑。网状金属支撑结构支撑效果好、易破裂的介电材料被限制在单个网眼内，不会因为单个网眼内的介电材料破裂，导致该裂纹在整片介电材料中放大，提高了芯片可靠性。

主权项

1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有半导体器件，所述半导体器件上形成有若干层金属互连层；焊垫，与所述若干层金属互连层中的部分顶层金属图案连接，用于通过所述若干层金属互连层与所述半导体器件电连接；其特征在于，所述半导体结构还包括：与所述若干层金属互连层电绝缘的伪金属互连层，所述伪金属互连层至少包括伪顶层金属图案，所述伪顶层金属图案与所述若干层金属互连层中的顶层金属图案位于同层；所述焊垫包括被钝化层覆盖的边缘区域以及被所述钝化层暴露的中心区域，所述焊垫的边缘区域与所述金属互连层中的顶层金属图案电连接，所述焊垫的中心区域与其下的伪顶层金属图案之间具有网状金属支撑结构，所述网状金属支撑结构的网眼内填充有介电材料；其中，所述网状金属支撑结构为一体结构。