[发明专利]制造半导体装置的方法和通过该方法制造的半导体装置

摘要

本发明构思提供了用于制造半导体装置的方法和通过该方法制造的半导体装置。根据该方法，可利用两个或三个光刻工艺和两个间隔件形成工艺来形成具有比通过曝光工艺实现的最小间距更小的细微间距的导电线。另外，可容易地形成导电线的节点分离区，而没有错位问题。

主权项

一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上按次序形成蚀刻目标层、下塑模层和中间塑模层，所述蚀刻目标层包括分离区；在所述中间塑模层上形成第一塑模图案；在所述第一塑模图案的侧壁上形成第一间隔件；利用所述第一间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻所述中间塑模层，以形成第二塑模图案；在所述第二塑模图案的侧壁上形成第二间隔件；利用所述第二间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻所述下塑模层，以形成第三塑模图案；形成至少部分地覆盖所述第三塑模图案中的至少一个的第四塑模图案，该第四塑模图案与所述分离区竖直地重叠；利用所述第四塑模图案和通过所述第四塑模图案暴露的那些第三塑模图案作为蚀刻掩模对所述蚀刻目标层进行蚀刻，以形成绝缘图案；以及在所述绝缘图案之间的空间中形成导电线。