[发明专利]一种薄膜图形化的方法在审
| 申请号： | 201510981630.6 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105575789A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 徐磊;郭瑞;贺良伟;赵景训;卜凡中 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/321;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜图形化的方法。该方法包括：在衬底上涂抹光刻胶，并采用刻蚀的方法对所述光刻胶进行处理，获得有图形形状的光刻胶，所述光刻胶的图形形状与目标图形形状相反；在所述涂有光刻胶的衬底上沉积待图形化的薄膜材料，所述沉积的薄膜材料分布在所述衬底上涂有光刻胶的位置和没有光刻胶的位置；采用研磨的方法对所述衬底上的薄膜材料进行研磨，直到所述光刻胶上没有所述薄膜材料附着且所述薄膜材料与所述光刻胶的高度平齐时，停止研磨操作；待所述研磨操作结束后，采用刻蚀的方法对所述衬底上的光刻胶进行处理，在所述衬底上获得目标图形形状的薄膜材料。本发明可以解决光刻胶渗透到待图形化的薄膜中使得该薄膜无法图形化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜图形化的方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上涂抹光刻胶，并采用刻蚀的方法对所述光刻胶进行处理，获得有图形形状的光刻胶，所述光刻胶的图形形状与目标图形形状相反；在所述涂有光刻胶的衬底上沉积待图形化的薄膜材料，所述沉积的薄膜材料分布在所述衬底上涂有光刻胶的位置和没有光刻胶的位置；采用研磨的方法对所述衬底上的薄膜材料进行研磨，直到所述光刻胶上没有所述薄膜材料附着且所述薄膜材料与所述光刻胶的高度平齐时，停止研磨操作；待所述研磨操作结束后，采用刻蚀的方法对所述衬底上的光刻胶进行处理，在所述衬底上获得目标图形形状的薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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