[发明专利]摩擦电子学光电晶体管及应用其的复合能源收集器有效
| 申请号： | 201510953821.1 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106571400B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张弛;王中林;张兆华;周桃;韩昌报 | 申请（专利权）人： | 北京纳米能源与系统研究所 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H02N1/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种摩擦电子学光电晶体管及应用其的复合能源收集器。在摩擦电子学晶体管中，将接触‑分离式摩擦纳米发电机与场效应光电晶体管耦合，能够利用接触起电产生的静电势来调控场效应光电晶体管中的光电转换特性，取代传统的门电压，实现对器件光电转换特性的调控，成为一种新型的摩擦光电子学器件。在复合能源收集器中，通过耦合场效应光电晶体管和风力驱动的摩擦纳米发电机，将风力摩擦纳米发电机的输出电压作为调控光能收集器性能的内部门电压，实现了对光能和风能的同时收集，同时提高了复合能源收集器的输出性能，具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 摩擦 电子学 光电晶体管 应用 复合 能源 收集 | ||
【主权项】：
1.一种摩擦电子学光电晶体管，其特征在于，包括：基材，包括：基底，其材料为重掺杂P型硅；绝缘层，形成于所述基底的正面；以及半导体层，形成于所述绝缘层之上，其由对光照敏感的半导体材料制备，在该半导体层上两不同位置沉积电极，引出所述摩擦电子学光电晶体管的源极和漏极；栅极导体层，形成于所述基底的背面，其引出所述摩擦电子学光电晶体管的栅极；以及移动摩擦件，其至少朝向栅极导体层的部分是由与制备栅极导体层的材料位于摩擦电极序上不同位置的材料制备，其可在外力作用下运动，与所述栅极导体层接触或分离；其中，所述基材为SOI片；所述绝缘层为形成于所述基底上的二氧化硅绝缘层，所述半导体层为形成于二氧化硅绝缘层上的P型顶层硅；在该P型顶层硅的部分区域进行N型重掺杂，形成重掺杂N型硅；在该重掺杂N型硅与未进行掺杂的P型顶层硅上分别沉积电极，引出所述摩擦电子学光电晶体管的漏极和源极。
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