[发明专利]控制半导体腔内可动多余物的封装工艺在审
| 申请号： | 201510940893.2 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105428258A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 于宗智;李东华;侯杰;马捷;崔玉琦 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/10 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250014*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制半导体腔内可动多余物的封装工艺，所述封装工艺包括清洗管座和管帽、选择缓冲剂、缓冲剂制备、涂缓冲剂和密封5个步骤，本发明利用高真空微孔密封剂的粘性，在管帽和管座的密封筋处涂缓冲剂，将管座和管帽焊接在一起时产生的可动多余物随密封筋的熔化固定在熔焊处，有效控制半导体腔内的可动多余物，提高半导体的可靠性，器件的气密性和内部气氛也不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 半导体 腔内可动 多余 封装 工艺 | ||
【主权项】：
一种控制半导体腔内可动多余物的封装工艺，其特征在于：包括以下步骤： （1）、清洗管帽和管座，清除管帽和管座的表面沾污；（2）、选择缓冲剂，要求缓冲剂粘度低，浸润性好，渗透力强；可在300°C下耐烘烤处理；能经受‑100°C至300°C的高、低温交替冲击；（3）、缓冲剂的制备，取适量缓冲剂倒入开放的器皿中，放置15‑30分钟，使其自然挥发部分溶剂，试剂变得粘稠，装入注射器备用；（4）、涂缓冲剂，将带密封筋的管座和管帽取出，用注射器沿密封筋内侧涂上一层缓冲剂，然后将涂过缓冲剂的管座和管帽放入烘箱烘烤；（5）、将步骤4得到的管帽和管座焊接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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