[发明专利]具有电熔丝的半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201510883590.1 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN106067459B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 成旼哲 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种电熔丝，包括：衬底，包括被隔离区彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；第一编程栅极和第二编程栅极，彼此平行地安置在第一有源区之上；单个选择栅极，安置在第二有源区之上；共享掺杂区，形成在第一编程栅极与第二编程栅极之间的第一有源区中；第一掺杂区和第二掺杂区，形成在选择栅极两侧的第二有源区中；第一金属线，适用于将共享掺杂区电耦接至第一掺杂区；以及第二金属线，连接至第二掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电熔丝 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电熔丝，包括：衬底，包括被电介质隔离区彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；第一编程栅极和第二编程栅极，彼此平行地安置在第一有源区之上；单个选择栅极，安置在第二有源区之上；共享掺杂区，形成在第一编程栅极与第二编程栅极之间的第一有源区中；第一掺杂区和第二掺杂区，形成在选择栅极两侧的第二有源区中；第一金属线，被配置为将共享掺杂区电耦接至第一掺杂区；以及第二金属线，连接至第二掺杂区。
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