[发明专利]半导体结构和CMOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510870357.X | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816368B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙;纪世良 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡杰赟;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法和一种CMOS晶体管的形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：提供基底以及位于所述基底上的伪栅结构，所述伪栅结构包括栅介质层、伪栅电极和侧墙；去除所述伪栅电极，形成暴露出所述栅介质层的凹槽；形成栅电极材料层，所述栅电极材料层填充满所述凹槽并覆盖所述基底的表面；采用化学机械研磨工艺去除所述凹槽外的栅电极材料层，剩余在所述凹槽内的栅电极材料层构成栅电极层，且在所述化学机械研磨工艺去除所述凹槽外的栅电极材料层时，在所述基底的外围区域形成栅电极材料残余层；对所述基底的外围区域进行斜边刻蚀处理，去除所述栅电极材料残余层。本发明形成的半导体结构良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 cmos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于所述基底上的伪栅结构，所述伪栅结构包括位于所述基底表面的栅介质层、位于所述栅介质层上的伪栅电极和位于所述栅介质层和所述伪栅电极侧壁表面的侧墙；去除所述伪栅电极，形成暴露出所述栅介质层的凹槽；形成栅电极材料层，所述栅电极材料层填充满所述凹槽并覆盖所述基底的表面；采用化学机械研磨工艺去除所述凹槽外的栅电极材料层，剩余在所述凹槽内的栅电极材料层构成栅电极层，且在所述化学机械研磨工艺去除所述凹槽外的栅电极材料层时，在所述基底的外围区域形成栅电极材料残余层；对所述基底的外围区域进行斜边刻蚀处理，去除所述栅电极材料残余层；对所述栅电极层进行退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510870357.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种增大过孔层的过孔坡度角的方法
- 下一篇：间隔件结构及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
