[发明专利]测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具有效
申请号: | 201510846534.0 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN105632976B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 天野嘉文;伊藤优树;冈本英一郎;岩永和也;池边亮二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机~第三摄像机(601~603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302),在测量处理装置(800)中,通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。 | ||
搜索关键词: | 测量 处理 装置 方法 系统 用工 | ||
【主权项】:
1.一种测量处理装置,通过对由拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和包围所述基板的包围构件的摄像装置得到的摄像图像进行处理,来测量所述基板的周缘部中不存在所述处理膜的切割宽度以及所述基板的周缘端与所述包围构件之间的间隙宽度,所述摄像装置设置于所述包围构件的上方,其中,根据所述摄像图像,至少确定被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界、所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,由此测量所述切割宽度和所述间隙宽度,其中,根据所述摄像装置通过第一摄像条件下的拍摄而得到的第一摄像图像,来确定所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,根据所述摄像装置通过第二摄像条件下的拍摄而得到的第二摄像图像,来确定被去除了所述处理膜的平面区域与形成于所述基板的周端的圆弧区域的边界以及被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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