[发明专利]测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具有效
申请号: | 201510846534.0 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN105632976B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 天野嘉文;伊藤优树;冈本英一郎;岩永和也;池边亮二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 处理 装置 方法 系统 用工 | ||
提供一种测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具。能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。利用设置于包围构件(302)的上方的第一摄像机~第三摄像机(601~603)来拍摄被去除了周缘部的处理膜的晶圆(W)和包围构件(302),在测量处理装置(800)中,通过对由这些摄像机得到的摄像图像进行处理来测量晶圆(W)的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及晶圆(W)的周缘端与包围构件(302)之间的间隙宽度。
技术领域
本发明涉及一种利用处理液对半导体晶圆等基板进行处理的基板处理装置。
背景技术
已知一种具备单片式的基板处理装置的基板处理系统。作为这种系统,存在具备如下的基板处理装置(以下设为第一基板处理装置)的系统,该基板处理装置具备以下功能:保持在基板的表面形成有膜的基板并使该基板绕铅垂轴旋转,从喷嘴向基板的周缘部供给处理液,由此去除周缘部的膜。在专利文献1中,在基板处理系统中设置摄像机构来拍摄由第一基板处理装置进行处理后的基板的周缘部,基于所拍摄到的图像来判断是否适当地去除了周缘部的膜。另一方面,除第一基板处理装置以外,还已知如下的基板处理装置(以下设为第二基板处理装置):具有从下方保持基板的周缘并且包围基板的整周的包围构件,对保持于包围构件的基板进行处理(专利文献2)。
专利文献1:日本特开2013-168429号公报
专利文献2:日本专利第5372836号公报
发明内容
例如,在基板处理系统具备第一基板处理装置和第二基板处理装置这双方的情况下,除了需要用于确认第一基板处理装置的摄像机构以外,还需要用于确认在第二基板处理装置中基板是否被包围构件正确地保持着的摄像机构。当单独设置两个摄像机构来进行确认作业时,可能会导致系统的大型化,还可能会需要长时间来进行确认作业。
本发明用于解决上述的问题,其目的在于,能够不导致系统的大型化地在短时间内确认基板的膜去除的状态和包围构件的保持状态。
为了解决上述问题,本发明的测量处理装置通过对由拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和从下方保持上述基板的周缘部并且包围上述基板的包围构件的摄像装置得到的摄像图像进行处理,来测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度,上述摄像装置设置于上述包围构件的上方。
另外,本发明的基板处理系统具备:第一基板处理装置,其具有包围基板的包围构件,对保持于上述包围构件的基板进行处理;摄像装置,其设置于上述包围构件的上方,拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和上述包围构件;以及测量处理装置,其通过对由上述摄像装置得到的摄像图像进行处理来测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度。
另外,本发明的测量用工具使用于具备包围构件的基板处理装置,该包围构件包围基板的整周,该测量用工具具备:设置台,其具有对于上述基板处理装置的设置面;以及摄像装置,其固定于上述设置台,其中,在被去除了周缘部的处理膜的基板被保持于上述包围构件且在上述基板处理装置上固定有上述设置台的状态下,上述摄像装置能够拍摄能够用于测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度的图像。
另外,本发明的测量处理方法包括:摄像工序,从包围基板的包围构件的上方拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和上述包围构件;以及测量处理工序,通过对在上述摄像工序中得到的摄像图像进行处理来测量上述基板的周缘部中不存在上述处理膜的切割宽度以及上述基板的周缘端与上述包围构件之间的间隙宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造