[发明专利]测量处理装置及方法、基板处理系统、测量用工具有效
申请号: | 201510846534.0 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN105632976B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 天野嘉文;伊藤优树;冈本英一郎;岩永和也;池边亮二 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 处理 装置 方法 系统 用工 | ||
1.一种测量处理装置,通过对由拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和包围所述基板的包围构件的摄像装置得到的摄像图像进行处理,来测量所述基板的周缘部中不存在所述处理膜的切割宽度以及所述基板的周缘端与所述包围构件之间的间隙宽度,所述摄像装置设置于所述包围构件的上方,
其中,根据所述摄像图像,至少确定被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界、所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,由此测量所述切割宽度和所述间隙宽度,
其中,根据所述摄像装置通过第一摄像条件下的拍摄而得到的第一摄像图像,来确定所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,根据所述摄像装置通过第二摄像条件下的拍摄而得到的第二摄像图像,来确定被去除了所述处理膜的平面区域与形成于所述基板的周端的圆弧区域的边界以及被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界。
2.根据权利要求1所述的测量处理装置,其特征在于,
所述第二摄像条件是用于得到比第一摄像条件下的摄像图像亮的摄像图像的条件。
3.根据权利要求2所述的测量处理装置,其特征在于,
所述测量处理装置使所述第一摄像图像和所述第二摄像图像以及进行所述测量得到的所述切割宽度和所述间隙宽度的值显示在信息处理装置的显示部上。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的测量处理装置,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的多个位置处设置有所述摄像装置,在测量中使用多个所述摄像装置通过分别进行所述多个位置处的摄像而得到的多个摄像图像。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的测量处理装置,其特征在于,
在沿着所述基板的周缘方向的一个位置处设置有所述摄像装置,在测量中使用一个所述摄像装置通过与所述包围构件的旋转相应地进行所述基板的多个位置处的摄像而得到的多个摄像图像。
6.一种基板处理系统,具备:
第一基板处理装置,其具有包围基板的包围构件,对保持于所述包围构件的基板进行处理;
摄像装置,其设置于所述包围构件的上方,拍摄被去除了周缘部的处理膜的基板和所述包围构件;以及
测量处理装置,其通过对由所述摄像装置得到的摄像图像进行处理来测量所述基板的周缘部中不存在所述处理膜的切割宽度以及所述基板的周缘端与所述包围构件之间的间隙宽度,
其中,所述测量处理装置根据所述摄像图像,至少确定被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界、所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,由此测量所述切割宽度和所述间隙宽度,
其中,所述测量处理装置根据所述摄像装置通过第一摄像条件下的拍摄而得到的第一摄像图像,来确定所述基板的周缘端以及所述包围构件的边界,根据所述摄像装置通过第二摄像条件下的拍摄而得到的第二摄像图像,来确定被去除了所述处理膜的平面区域与形成于所述基板的周端的圆弧区域的边界以及被去除了所述处理膜的平面区域与未被去除所述处理膜的平面区域的边界。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一基板处理装置是用于对保持于所述包围构件的基板的下表面进行处理的装置,
从所述第一基板处理装置的外部搬入所述被去除了周缘部的处理膜的基板。
8.根据权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,
还具备第二基板处理装置,该第二基板处理装置通过对成膜后的基板的周缘部供给处理液来进行处理膜去除,
所述被去除了周缘部的处理膜的基板是在所述第二基板处理装置中进行处理之后被搬入到所述第一基板处理装置的基板。
9.根据权利要求7或8所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一基板处理装置还具有能够将基板从下表面支承并升降的升降构件,
所述升降构件上升到高于所述包围构件且低于所述摄像装置的位置来接受从所述第一基板处理装置的外部搬入的所述基板,从所述接受的位置起下降来将所述基板放置于所述包围构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造