[发明专利]一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法在审
申请号: | 201510814405.3 | 申请日: | 2015-11-23 |
公开(公告)号: | CN105428217A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 俞金玲;郑重明;程树英;赖云锋;郑巧;周海芳 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/225;H01L21/324;H01L31/0304 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法,其是采用真空蒸发法,在两层硫化铟薄膜之间蒸发一层很薄的Cu,然后通过热退火使得Cu扩散到硫化铟薄膜中,达到制备Cu掺杂硫化铟薄膜的目的。本发明可以通过控制蒸发Cu的量来控制掺杂浓度,从而起到不同程度降低薄膜电阻率的目的。本发明制备的薄膜可用于作为太阳能电池的缓冲层。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 cu 掺杂 硫化 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
一种制备Cu掺杂硫化铟薄膜的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤1):对透明玻璃片进行清洁处理,即将玻璃片依次在去离子水、丙酮和乙醇中进行超声处理,然后取出、烘干;步骤2):将步骤1)所得烘干的玻璃片置于真空蒸发炉的蒸发腔内;将硫化铟粉末置于蒸发舟中,再放进蒸发腔内;将蒸发腔抽真空后缓慢加电流对蒸发舟进行加热,至蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发,此时电流为140A,然后停止蒸发;步骤3):将Cu颗粒在盐酸中清洗,然后在去离子水中洗净,再于乙醇溶液中超声处理后,取出,迅速风干,然后放置于蒸发舟内;将放有Cu颗粒的蒸发舟放入蒸发腔内,将蒸发腔抽真空后缓慢加电流对蒸发舟进行加热,当电流加到110A时,保持电流直到Cu颗粒全部蒸发完后停止蒸发;步骤4):再取硫化铟粉末置于蒸发舟中,再放入蒸发腔内,抽真空后缓慢加电流对蒸发舟进行加热,直到蒸发舟内的硫化铟粉末完全蒸发后停止蒸发;步骤5):将步骤4)制得的样品放在石英舟上,再放入石英管中,通入惰性气体,然后在管式炉里将样品在惰性气体的保护下进行热退火处理;步骤6):退火结束之后,取出石英管,继续通入惰性气体直到石英管降为室温,然后将样品取出,即得所述Cu掺杂的硫化铟薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510814405.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造