[发明专利]反向导通型半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种反向导通型半导体装置，其能够使阻挡金属层与高浓度阳极层之间的接触面积固定。本发明所涉及的反向导通型半导体装置的特征在于，具有：阳极层(40)及高浓度阳极层(42)，它们形成在二极管(14)的上表面侧；以及钨插塞(54)，其经由阻挡金属层(52)而与阳极层(40)及高浓度阳极层(42)相接触，该高浓度阳极层的宽度大于该阻挡金属层与该高浓度阳极层之间的接触宽度。

主权项

1.一种反向导通型半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的半导体衬底，其具有第1主面和第2主面；栅极电极，其隔着栅极氧化膜而形成于在所述第1主面呈条带状地设置的多个沟槽中；晶体管，其具有在所述第1主面侧形成的发射极层、在所述发射极层下形成并与所述栅极氧化膜相接触的第2导电型的基极层、以及在所述第2主面侧形成的第2导电型的集电极层；二极管，其在所述晶体管的旁边形成，具有在所述第1主面侧形成的第2导电型的阳极层、在所述第1主面侧形成且与所述阳极层相比杂质浓度高的第2导电型的高浓度阳极层、以及在所述第2主面侧形成的第1导电型的阴极层；层间膜，其在所述第1主面上形成，具有避开所述栅极电极的正上方并与所述栅极电极平行地延伸的贯通槽；阻挡金属层，其以与所述阳极层和所述高浓度阳极层相接触的方式形成在所述贯通槽中；钨插塞，其与阻挡金属层相接触，掩埋所述贯通槽；以及发射极电极，其与所述钨插塞相接触，所述高浓度阳极层的宽度大于所述阻挡金属层与所述高浓度阳极层之间的接触宽度，每个阳极单元的所述高浓度阳极层与所述阻挡金属层之间的接触面积S1，比每个所述阳极单元的所述阳极层与所述阻挡金属层之间的接触面积S2小，其中，阳极单元是所述阳极层和所述高浓度阳极层的重复图案的单位，所述接触面积S1和所述接触面积S2满足0.1＜S1/(S1+S2)＜0.5，所述高浓度阳极层的每单位面积的电阻小于或等于所述阳极层的每单位面积的电阻的1/5。