[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201510728351.9 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105575423B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 横山佳巧;石井雄一郎 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器件，其中存储器单元在待机模式下可以容易地被设置在适当的电势，同时伴随着用于控制存储器单元的源极线的电势的电路的面积减小。一种半导体存储器件，包括静态型存储器单元和控制电路。该控制电路包括被提供在耦合到驱动晶体管的源极电极的源极线和第一电压之间的第一开关晶体管、与第一开关晶体管并行地提供的第二开关晶体管以及源极线电势控制电路，当存储器单元在操作时，该源极线电势控制电路使得第一开关晶体管和第二开关晶体管导通从而将源极线耦合到第一电压，以及在待机模式下，该源极线电势控制电路将第一开关晶体管设置为非导通并且将第二开关晶体管的栅极电极设置为耦合到源极线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储器阵列，包括被提供在行和列中的多个存储器单元；以及控制电路，用于控制所述存储器阵列，所述存储器单元中的每一个存储器单元为包括驱动晶体管、传送晶体管和负载元件的静态型存储器单元，所述控制电路包括：第一开关晶体管，被提供在源极线和第一电压之间，所述源极线被耦合到所述驱动晶体管的源极电极；第二开关晶体管，与所述第一开关晶体管并行地被提供在所述源极线和所述第一电压之间；以及源极线电势控制电路，通过控制所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管而调整所述源极线的电势，其中当所述存储器单元在操作时，所述源极线电势控制电路使得所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管导通，从而将所述源极线耦合到所述第一电压，并且当所述存储器单元处于待机模式时，将所述第一开关晶体管设置为非导通并且将所述第二开关晶体管的栅极电极设置为耦合到所述源极线。
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