[发明专利]半导体存储器件

说明书

提供一种半导体存储器件，其中存储器单元在待机模式下可以容易地被设置在适当的电势，同时伴随着用于控制存储器单元的源极线的电势的电路的面积减小。一种半导体存储器件，包括静态型存储器单元和控制电路。该控制电路包括被提供在耦合到驱动晶体管的源极电极的源极线和第一电压之间的第一开关晶体管、与第一开关晶体管并行地提供的第二开关晶体管以及源极线电势控制电路，当存储器单元在操作时，该源极线电势控制电路使得第一开关晶体管和第二开关晶体管导通从而将源极线耦合到第一电压，以及在待机模式下，该源极线电势控制电路将第一开关晶体管设置为非导通并且将第二开关晶体管的栅极电极设置为耦合到源极线。

相关申请的交叉引用

在此通过参考整体并入2014年10月31日提交的日本专利申请No.2014-223183的公开内容，包括说明书、附图和摘要。

技术领域

本公开涉及一种用于降低在待机模式下的电流的半导体存储器件及其配置。

背景技术

降低静态随机存取存储器(SRAM)的在待机模式下的电流是至今为止一直所追求的。提出的电路被配置为通过控制源极线的电势并且降低施加到处于其中存储器单元仅仅保存数据的待机模式下的存储器单元的电压，但是并不执行从它们读取数据/向它们写入数据，与其中执行从存储器单元读取数据/向存储器单元写入数据的正常模式不同。

在这一方面，根据日本公开的未审专利申请No.2004-206745，分离地提供与存储器单元的源极线耦合的用作电源开关的晶体管以及二极管耦合的晶体管。当存储器单元的源极线的电势由二极管耦合的晶体管进行控制时，用作电源开关的晶体管被控制以在正常模式下导通并且在待机模式下非导通。

在根据日本公开的未审专利申请No.2007-150761的配置中，仅仅提供单个二极管耦合的晶体管并且没有与存储器单元的源极线耦合的用作电源开关的晶体管。这个晶体管在正常模式下导通从而降低源极线的电势。在待机模式下，晶体管在其栅极被设置为等于存储器单元的源极电势的情况下将被二极管耦合并且控制存储器单元的源极线的电势。

发明内容

然而，在日本公开的未审专利申请No.2004-206745中提出的配置要求大面积，因为用作电源开关的晶体管和用于提升存储器单元的源极线的二极管耦合的晶体管被制成彼此独立地操作，并且必需为每个晶体管提供面积。

在日本公开的未审专利申请No.2007-150761中提出的配置中，仅使用单个晶体管并且因此面积收缩是可行的。但是，在其中使用二极管耦合的晶体管来控制存储器单元的源极线的电势的情况中，需要将晶体管设计为小尺寸以降低在待机模式下的电流。其中存在的问题在于这种晶体管的尺寸太小，以至于无法使得在正常模式下将存储器单元的源极线的电势下降至接地电势。因此，存在的问题是难以利用单一晶体管来满足两种功能，并且对晶体管进行适当尺寸调整非常困难。

这里所公开的发明是已经被研发用以解决上述问题并且旨在于提供一种半导体存储器件，其中存储器单元可以被容易地设置在适当的电势，从而保存数据而没有损坏并且降低在待机模式下的泄漏电流，同时伴随着用于控制存储器单元的源极线的电势的电路的面积减小。

从本说明书和附图的描述，其他的问题和新颖特征将变得明显。