[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510660762.9 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105577153B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也;大月正人 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/12 | 分类号： | H03K17/12;H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供半导体装置，其保护具有同一芯片上形成且并联的IGBT与MOSFET的功率半导体元件，使其免于随检出过电流时断开控制的异常高压损害。是将IGBT(11)与SJMOSFET(12)并联时使其栅极端子独立而分别控制IGBT(11)和SJMOSFET(12)。在此接通控制IGBT(11)和SJMOSFET(12)时外部电路发生短路等而被施加高电压且大电流流过时，运算放大器(24)以检出IGBT(11)的过电流而控制栅极信号以限制IGBT(11)中流动的电流。然后运算放大器(24)根据被恒定电流源(25)的放电降低的电容器(26)的基准电压，限制IGBT(11)流动的电流，软关断IGBT(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：IGBT；MOSFET，其与所述IGBT在同一芯片上形成，耐压比所述IGBT低，漏极和源极分别与所述IGBT的集电极和发射极连接；以及控制IC，其将第一控制信号输出到作为第一栅极的所述IGBT的栅极，将第二控制信号输出到作为第二栅极的所述MOSFET的栅极，并且所述控制IC具有过电流检测电路和强制关断电路，所述过电流检测电路检测所述IGBT的过电流，所述强制关断电路强制地使所述第一控制信号成为断开信号，在所述控制IC中，在通过所述第一控制信号和所述第二控制信号对所述IGBT和所述MOSFET进行导通控制期间，所述过电流检测电路检测出了过电流时，所述强制关断电路强制地使所述第一控制信号成为断开信号。
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