[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底；在衬底表面形成初始隔离层，所述初始隔离层内具有暴露出衬底表面的鳍部沟槽；在所述鳍部沟槽内形成第一鳍部层，所述第一鳍部层内掺杂有防穿通离子，所述第一鳍部层位于所述衬底表面，且所述第一鳍部层的顶部表面低于所述初始隔离层表面；在所述鳍部沟槽内形成第二鳍部层，所述第二鳍部层位于所述第一鳍部层的顶部表面；在形成所述第二鳍部层之后，去除部分初始隔离层，暴露出部分第二鳍部层侧壁，形成隔离层，所述隔离层表面低于所述第二鳍部层的顶部表面。所形成的半导体结构抑制了鳍部内的防穿通离子扩散，改善鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底包括第一区域和第二区域；所述第一区域用于形成NMOS管，所述第二区域用于形成PMOS管；在所述衬底内形成隔离沟槽；在衬底表面形成初始隔离层，所述初始隔离层内具有暴露出衬底表面的鳍部沟槽；位于初始隔离层内的鳍部沟槽分别暴露出衬底的第一区域和第二区域表面；所述初始隔离层还位于所述隔离沟槽内；在所述鳍部沟槽内形成第一鳍部层，所述第一鳍部层内掺杂有防穿通离子，所述第一鳍部层位于所述衬底表面，且所述第一鳍部层的顶部表面低于所述初始隔离层表面；所述第一鳍部层位于所述隔离沟槽之间的衬底表面；在所述鳍部沟槽内形成第二鳍部层，所述第二鳍部层位于所述第一鳍部层的顶部表面；所述第一区域的第二鳍部层的材料为InGaAs、InGaP或InP；在形成所述第二鳍部层之后，去除部分初始隔离层，暴露出部分第二鳍部层侧壁，形成隔离层，所述隔离层表面低于所述第二鳍部层的顶部表面。