[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。用以加快阵列基板内的第一电极层的刻蚀速度，提高显示装置的开口率。其中制备方法包括在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层，第一电极层包括至少两层导电层，且至少两层导电层的形成材料的刻蚀速率不同；在栅极金属层上形成光刻胶层；采用半色调掩膜板对形成有光刻胶层、第一电极层和栅极金属层的衬底基板进行曝光；对栅极金属层进行第一次刻蚀；对第一电极层进行刻蚀；对光刻胶层进行灰化处理，对栅极金属层进行第二次刻蚀，并剥离剩余的光刻胶，在已进行第二次刻蚀后的栅极金属层上依次形成半导体层、源、漏极层、过孔以及第二电极层。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层，所述第一电极层包括：至少两层导电层，且所述至少两层导电层的形成材料的刻蚀速率不同；在所述栅极金属层上形成光刻胶层；采用半色调掩膜板对形成有光刻胶层、第一电极层和栅极金属层的衬底基板进行曝光；对栅极金属层进行第一次刻蚀；对第一电极层进行刻蚀；对所述光刻胶层进行灰化处理，对栅极金属层进行第二次刻蚀，并剥离剩余的光刻胶，在已进行第二次刻蚀后的栅极金属层上依次形成半导体层、源、漏极层、过孔以及第二电极层；所述第一电极层包括两层导电层，所述两层导电层分别为第一导电层和第二导电层，所述在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层具体包括：在所述衬底基板上沉积所述第一导电层；在所述第一导电层上沉积所述第二导电层，且所述第二导电层的刻蚀速率大于所述第一导电层的刻蚀速率；在所述第二导电层上沉积所述栅极金属层；所述第二导电层的材料为IGZO铟镓锌氧化物或IZO氧化铟锌或ZnNO氮氧化锌或ITZO铟镓锡氧化物。