[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201510614230.1 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105280552B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 曹占锋;张锋;张斌;何晓龙;李正亮;张伟;关峰;高锦成 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层，所述第一电极层包括：至少两层导电层，且所述至少两层导电层的形成材料的刻蚀速率不同；
在所述栅极金属层上形成光刻胶层；
采用半色调掩膜板对形成有光刻胶层、第一电极层和栅极金属层的衬底基板进行曝光；
对栅极金属层进行第一次刻蚀；
对第一电极层进行刻蚀；
对所述光刻胶层进行灰化处理，对栅极金属层进行第二次刻蚀，并剥离剩余的光刻胶，在已进行第二次刻蚀后的栅极金属层上依次形成半导体层、源、漏极层、过孔以及第二电极层；
所述第一电极层包括两层导电层，所述两层导电层分别为第一导电层和第二导电层，所述在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层具体包括：
在所述衬底基板上沉积所述第一导电层；
在所述第一导电层上沉积所述第二导电层，且所述第二导电层的刻蚀速率大于所述第一导电层的刻蚀速率；
在所述第二导电层上沉积所述栅极金属层；
所述第二导电层的材料为IGZO铟镓锌氧化物或IZO氧化铟锌或ZnNO氮氧化锌或ITZO铟镓锡氧化物。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一电极层包括两层导电层，所述两层导电层分别为第一导电层和第二导电层，所述在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层具体包括：
在所述衬底基板上沉积所述第二导电层，且所述第二导电层的刻蚀速率大于所述第一导电层的刻蚀速率；
在所述第二导电层上沉积所述第一导电层；
在所述第一导电层上沉积所述栅极金属层。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对第一电极层进行刻蚀具体包括：
对所述第一电极层中的每层采用同一次刻蚀工艺进行刻蚀。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对第一电极层进行刻蚀具体包括：
对所述第一电极层中的每层分别采用独立的刻蚀工艺进行刻蚀。
5.如权利要求1或2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一导电层的材料为a-ITO非晶氧化铟锡或p-ITO多晶氧化铟锡或ITO氧化铟锡或Ag银。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用如权利要求1～5任一项所述的阵列基板的制备方法制备而成。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求6所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
