[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。用以加快阵列基板内的第一电极层的刻蚀速度，提高显示装置的开口率。其中制备方法包括在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层，第一电极层包括至少两层导电层，且至少两层导电层的形成材料的刻蚀速率不同；在栅极金属层上形成光刻胶层；采用半色调掩膜板对形成有光刻胶层、第一电极层和栅极金属层的衬底基板进行曝光；对栅极金属层进行第一次刻蚀；对第一电极层进行刻蚀；对光刻胶层进行灰化处理，对栅极金属层进行第二次刻蚀，并剥离剩余的光刻胶，在已进行第二次刻蚀后的栅极金属层上依次形成半导体层、源、漏极层、过孔以及第二电极层。

技术领域

本发明涉及液晶显示器制备工艺技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向(平行于基板)产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。并且，随着科技的发展，显示器件也在向着高效、绿色、节能的趋势发展。

现有技术中为了简化工艺，一般将第一电极掩膜和栅极掩膜采用半色调掩膜板进行，以节省掩膜板的数量，现有技术中的阵列基板的制备流程如图1a～图1b所示，其中图1a～图1d为现有技术中的阵列基板制备过程结构示意图，制备方法包括：在衬底基板01上依次沉积第一电极层02、栅极层03，在栅极层03上涂覆光刻胶，形成光刻胶层04，采用半色调掩模板对栅极层03和第一电极层02进行曝光，形成的结构如图1a所示，对第一电极层02和栅极层03进行刻蚀，形成的结构如图1b所示，对光刻胶层04进行灰化处理，形成的结构如图1c所示，此时形成的条状的第一电极与其对应的栅极在宽度上的尺寸偏差较小，第一电极的宽度略小于对应的栅极的宽度，对栅极层03进行第二次刻蚀时，栅极的宽度会减小，形成的结构如图1d所示，此时第一电极的宽度w1大于对应的栅极w2的宽度，即相邻两个第一电极之间的间距L1小于相邻两个栅极L2之间的间距，不利于显示面板的开口率的提高。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置，用以加快阵列基板内的第一电极层的刻蚀速度，减小第一电极与对应的栅极在宽度上的尺寸偏差值，提高显示装置的开口率。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上依次沉积第一电极层和栅极金属层，所述第一电极层包括：至少两层导电层，且所述至少两层导电层的形成材料的刻蚀速率不同；

在所述栅极金属层上形成光刻胶层；

采用半色调掩膜板对形成有光刻胶层、第一电极层和栅极金属层的衬底基板进行曝光；

对栅极金属层进行第一次刻蚀；

对第一电极层进行刻蚀；

对所述光刻胶层进行灰化处理，对栅极金属层进行第二次刻蚀，并剥离剩余的光刻胶，在已进行第二次刻蚀后的栅极金属层上依次形成半导体层、源、漏极层、过孔以及第二电极层。