[发明专利]金属栅极及其制造方法有效
| 申请号： | 201510565628.0 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105810735B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 洪奇成;王喻生;苏丁香;苏庆煌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：有源区，具有第一表面；隔离区，具有第二表面，隔离区围绕有源区，第一表面高于第二表面；以及金属栅极，具有设置在第一表面和第二表面上方的多个金属层。多个金属层中的至少一个层的最薄部分与最厚部分的比率约大于40％。本发明还提供了一种用于制造半导体结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：有源区，具有第一表面；隔离区，具有第二表面，所述隔离区围绕所述有源区，所述第一表面高于所述第二表面；以及金属栅极，具有设置在所述第一表面和所述第二表面上方的多个金属层，其中，所述多个金属层中的至少一个层的最薄部分与最厚部分的比率约大于40％。
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