[发明专利]晶圆结构及其形成方法和喷淋装置有效
| 申请号： | 201510547844.2 | 申请日： | 2015-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106486340B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 盖靖锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆结构及其形成方法和喷淋装置，其中晶圆结构的形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆分为中心区域和外围区域；在所述晶圆的中心区域表面形成层间介电层；在所述晶圆的外围区域表面形成缓冲层；形成覆盖所述缓冲层和所述层间介电层的连接层。本发明通过在晶圆外围区域形成缓冲层，以减小连接层与晶圆之间的晶格失配，减小所形成连接层与晶圆之间的应力，减小外围区域形成连接层出现气泡或剥落等缺陷的可能，改善所形成半导体器件的性能，提高器件制造良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 方法 喷淋 装置 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆分为中心区域和外围区域；在所述晶圆的中心区域表面形成层间介电层；在所述晶圆的外围区域表面形成缓冲层，所述缓冲层通过喷淋的方式形成；形成覆盖所述缓冲层和所述层间介电层的连接层；在所述连接层上形成互连结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510547844.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：GaN薄膜的制备方法
- 下一篇：基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
