[发明专利]低温多晶硅阵列基板的修补方法有效
| 申请号： | 201510491502.3 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105093747B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 孟林 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法。该方法使用激光照射低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层(5)碳化，从而使缺陷像素成为暗点，不必像现有技术那样将位于缺陷像素区域内的金属线路打断或熔接，既操作简便，又能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅 缺陷像素 阵列基板 修补 低温多晶硅液晶 亮点缺陷 显示面板 漏光 有机平坦层 方法使用 激光照射 金属线路 良品率 暗点 熔接 碳化 像素 成功率 打断 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一制作完成的低温多晶硅阵列基板，检测所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素；所述低温多晶硅阵列基板包括TFT层(4)、及覆盖所述TFT层(4)的有机平坦层(5)；步骤2、使用激光照射所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层(5)碳化，从而使缺陷像素成为暗点；所述步骤2中使用的激光的波长为1030nm；所述激光的脉冲能量为3～200uJ/shot，操作频率为2～50pps。
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