[发明专利]低温多晶硅阵列基板的修补方法

说明书

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法。该方法使用激光照射低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层(5)碳化，从而使缺陷像素成为暗点，不必像现有技术那样将位于缺陷像素区域内的金属线路打断或熔接，既操作简便，又能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅阵列基板的修补方法。

背景技术

液晶显示面板通常是由一彩膜基板(Color Filter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(Vertical Alignment，VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwisted Nematic，STN)型、平面转换(In-Plane Switching，IPS)型、及边缘场开关(FringeField Switching，FFS)型，其中FFS型的液晶显示面板能够在宽视角的前提下，具有高的透光效率，实现高品质显示。

近年来，以低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)作为阵列基板内薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的半导体层的液晶显示面板在中高端小尺寸产品中获得了越来越多的应用，多个知名品牌的智能手机、平板电脑等产品均使用LTPS液晶显示面板。LTPS可以通过准分子激光退火(Excimer Laser Annealing，ELA)等制程方式制得。LTPS具有较高的电子迁移率，能够使液晶显示面板具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低功耗等优点。

但LTPS液晶显示面板，尤其是LTPS阵列基板的制程较复杂，良品率相对较低，其中以LTPS液晶显示面板出现漏光、亮点缺陷较为常见。

现有技术对LTPS液晶显示面板出现漏光、亮点缺陷进行修补主要有两种方式：第一种方式是将阵列基板内对应位于缺陷区域的金属线路打断或熔接，但该第一种方式不易操作，修补成功率也较低；第二种方式是将彩膜基板内对应位于缺陷区域的彩色色阻层进行碳化处理，易造成修补面积过大，碳化黑点过于明显，反而影响液晶显示面板的显示品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，其操作简便，能够对漏光、亮点缺陷进行有效修补，提升低温多晶硅液晶显示面板的修补成功率，利于提高低温多晶硅液晶显示面板的良品率。

为实现上述目的，本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，包括如下步骤：

步骤1、提供一制作完成的低温多晶硅阵列基板，检测所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素；

所述低温多晶硅阵列基板包括TFT层、及覆盖所述TFT层的有机平坦层；

步骤2、使用激光照射所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层碳化，从而使缺陷像素成为暗点。

所述有机平坦层的材料为亚克力系光阻。

所述步骤2中使用的激光的波长为1030nm。

所述激光的脉冲能量为3～200uJ/shot，操作频率为2～50pps。