[发明专利]低温多晶硅阵列基板的修补方法有效
| 申请号： | 201510491502.3 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105093747B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 孟林 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温多晶硅 缺陷像素 阵列基板 修补 低温多晶硅液晶 亮点缺陷 显示面板 漏光 有机平坦层 方法使用 激光照射 金属线路 良品率 暗点 熔接 碳化 像素 成功率 打断 | ||
1.一种低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一制作完成的低温多晶硅阵列基板，检测所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素；
所述低温多晶硅阵列基板包括TFT层(4)、及覆盖所述TFT层(4)的有机平坦层(5)；
步骤2、使用激光照射所述低温多晶硅阵列基板发生漏光、亮点缺陷的像素，使对应位于缺陷像素区域内的有机平坦层(5)碳化，从而使缺陷像素成为暗点；
所述步骤2中使用的激光的波长为1030nm；
所述激光的脉冲能量为3～200uJ/shot，操作频率为2～50pps。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述有机平坦层(5)的材料为亚克力系光阻。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述低温多晶硅阵列基板还包括玻璃基板(1)、设于所述玻璃基板(1)上的遮光层(2)、覆盖所述遮光层(2)与玻璃基板(1)的缓冲层(3)、设于所述有机平坦层(5)上的公共电极(6)、设于所述公共电极(6)与有机平坦层(5)上的钝化层(7)、及设于所述钝化层(7)上的像素电极(8)；
所述TFT层(4)设于缓冲层(3)上。
4.如权利要求3所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述TFT层(4)具体包括设于缓冲层(3)上的低温多晶硅半导体层(41)、覆盖所述低温多晶硅半导体层(41)与缓冲层(3)的栅极绝缘层(42)、设于所述栅极绝缘层(42)上的栅极(43)、覆盖所述栅极(43)与栅极绝缘层(42)的层间绝缘层(44)、以及设于所述层间绝缘层(44)上的源极(451)与漏极(452)；所述源极(451)、漏极(452)分别通过一贯穿层间绝缘层(44)与栅极绝缘层(42)的过孔接触低温多晶硅半导体层(41)；
所述像素电极(8)通过贯穿有机平坦层(5)的过孔接触所述漏极(452)。
5.如权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述缓冲层(3)、栅极绝缘层(42)、层间绝缘层(44)、及钝化层(7)的材料均为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。
6.如权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述栅极(43)、源极(451)、及漏极(452)的材料均为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。
7.如权利要求4所述的低温多晶硅阵列基板的修补方法，其特征在于，所述公共电极(6)与像素电极(8)的材料均为ITO。
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