[发明专利]解决分栅快闪存储器编程串扰失效的制造方法

摘要

本发明提出了一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的制造方法，该方法通过去除逻辑区栅极蚀刻后灰化工艺中稀释氢氟酸的使用，从而达到增加字线蚀刻保护层厚度的目的，最终提高了字线的高度，解决了分栅快闪存储器编程串扰失效；同时使用两次灰化工艺及光阻去除工艺很好的去除光阻，避免了因逻辑区栅极蚀刻后光阻去除工艺中不使用稀释氢氟酸而导致光阻残留的问题。

主权项

一种解决分栅快闪存储器编程串扰失效的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供基片，基片上形成有逻辑区和存储区，存储区上形成有存储多晶硅层，逻辑区上形成有逻辑多晶硅层，存储区与逻辑区上均形成有高压栅介质层，高压栅介质层位于存储多晶硅层上，逻辑多晶硅层位于高压栅介质层上，通过光刻与蚀刻在逻辑区上以图案化的光阻为掩膜形成逻辑栅极；使用第一次灰化工艺和第一次光阻去除工艺，去除图案化的光阻，所述第一次光阻去除工艺不使用氢氟酸；使用第二次灰化工艺和第二次光阻去除工艺，去除残留的图案化的光阻，所述第二次光阻去除工艺不使用氢氟酸；直接刻蚀高压栅介质层和存储多晶硅层，形成字线。