[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括：基底、至少一感测器、介电层、至少一光导管结构、至少一焊垫、遮蔽层以及保护层。感测器位于第一区的基底中。介电层位于基底上。光导管结构位于第一区的介电层中。光导管结构对应于感测器。焊垫位于第二区的介电层中。遮蔽层位于介电层上，其中遮蔽层环绕光导管结构。保护层位于遮蔽层上。焊垫上方的介电层、遮蔽层以及保护层中具有至少一焊垫开口，以暴露对应的焊垫的顶面。

主权项

1.一种半导体元件，包括：基底，具有第一区与第二区；至少一感测器，位于该第一区的该基底中；介电层，位于该第一区与该第二区的该基底上；至少一光导管结构，位于该第一区的该介电层中，其中该光导管结构对应于该感测器；至少一焊垫，位于该第二区的该介电层中；遮蔽层，位于该介电层上，其中该遮蔽层环绕该光导管结构；以及保护层，位于该遮蔽层上，其中该焊垫上方的该介电层、该遮蔽层以及该保护层中具有至少一焊垫开口，以暴露对应的该焊垫的顶面。