[发明专利]图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法

摘要

本发明提供了图像传感器及制备方法、减少电学互扰的方法，在具有光电二极管和像素单元电路的像素单元结构中，向半导体衬底中且对应于浅沟槽隔离结构下方的区域进行离子注入，以形成离子注入区，这些注入的离子经退火后形成多个空隙，这些空隙成为电子迁移的势垒，由于在光电二极管和像素单元电路下方的区域为非耗尽区，从而阻挡非耗尽区的电子扩散到邻近的像素单元，以降低邻近像素之间的电学互扰。

主权项

1.一种减少CMOS图像传感器电学互扰的方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底中形成多个浅沟槽隔离结构，并形成位于相邻的浅沟槽隔离结构之间的光电二极管区域和像素单元电路区域，以及位于所述像素单元下方的非耗尽区；其中，浅沟槽隔离结构用于隔离相邻的像素单元电路区域；步骤02：向所述半导体衬底中且对应于所述浅沟槽隔离结构下方的区域进行离子注入，以形成离子注入区；其中，所述离子注入是从所述半导体衬底背面注入到所述半导体衬底中；所述离子注入区的顶部等于或高于所述光电二极管区域的底部，所述离子注入区的顶部高于所述非耗尽区，且不与所述浅沟槽隔离结构相接触；步骤03：经退火工艺，在所述离子注入区中形成多个空隙；离子注入区形成微孔区；其中，所述微孔区的顶部等于或高于所述光电二极管区域的底部，所述微孔区的顶部高于所述非耗尽区，且不与所述浅沟槽隔离结构相接触。