[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置有效

专利信息
申请号: 201510363671.9 申请日: 2015-06-26
公开(公告)号: CN105098074B 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 李鸿鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/05
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 王安娜;李翔
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置,该方法包括在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤;其中,所述在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤,包括:在所述亲水的结构层的上表面形成亲油材料层;对所述亲油材料层进行图案化,去除待形成有机半导体层的区域之外的亲油材料,保留位于所述待形成有机半导体层的区域的亲油材料得到亲油层;采用亲油的有机材料利用湿法工艺在所述亲油层上形成有机半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制作方法,能够较为简单的实现薄膜晶体管的湿法制备。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示 面板 装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制作方法,包括在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤;其特征在于,所述在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤,包括:在所述亲水的结构层的上表面形成亲油材料层;所述亲油材料层的材料为六甲基二硅胺烷;在所述亲油材料层上涂覆光刻胶,并对所述光刻胶进行曝光显影形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域;去除光刻胶保留区域的部分光刻胶,并去除光刻胶去除区域的亲油材料;剥离光刻胶保留区域剩余部分的光刻胶,得到亲油层;对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行亲水处理,以提高该区域的亲水的结构层的上表面的亲水性;采用亲油的有机材料利用湿法工艺在所述亲油层上形成有机半导体层,所述亲油的有机材料为6,13‑双(三异丙基硅烷基乙炔基)并五苯。
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