[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤；其特征在于，所述在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤，包括：

在所述亲水的结构层的上表面形成亲油材料层；所述亲油材料层的材料为六甲基二硅胺烷；

在所述亲油材料层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光显影形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域；

去除光刻胶保留区域的部分光刻胶，并去除光刻胶去除区域的亲油材料；

剥离光刻胶保留区域剩余部分的光刻胶，得到亲油层；

对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行亲水处理，以提高该区域的亲水的结构层的上表面的亲水性；

采用亲油的有机材料利用湿法工艺在所述亲油层上形成有机半导体层，所述亲油的有机材料为6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)并五苯。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亲水的结构层为栅绝缘层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行亲水处理包括：

采用表面处理剂对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行清洗；或者

采用离子轰击法对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行轰击。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述表面处理剂为苯甲酸或者重氮盐。

5.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：亲水的结构层以及形成在所述亲水的结构层之上的亲油层，形成在所述亲油层之上的有机半导体层，所述有机半导体层与所述亲油层面积一致，位置对应，其中所述亲油层的材料为六甲基二硅胺烷，所述有机半导体层的材料为6,13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)并五苯。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括基底以及形成在所述基底上的有机薄膜晶体管阵列，所述有机薄膜晶体管阵列中的有机薄膜晶体管为如权利要求5所述的有机薄膜晶体管。

7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6所述的阵列基板。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。