[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置，该方法包括在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤；其中，所述在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤，包括：在所述亲水的结构层的上表面形成亲油材料层；对所述亲油材料层进行图案化，去除待形成有机半导体层的区域之外的亲油材料，保留位于所述待形成有机半导体层的区域的亲油材料得到亲油层；采用亲油的有机材料利用湿法工艺在所述亲油层上形成有机半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制作方法，能够较为简单的实现薄膜晶体管的湿法制备。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置。

背景技术

随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，己经取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑等领域。

有机薄膜晶体管是指半导体层由有机材料制成的晶体管。相比于传统的薄膜晶体管，有机薄膜晶体管的制作成本更低，具有更广泛的应用价值。但是有机薄膜晶体管的有机材料很难通过大面积的湿法工艺形成在承载有机材料的膜层(一般为亲水的结构层)上，限制了有机薄膜晶体管技术的推广。

发明内容

本发明的一个目的在于解决上述技术问题。

第一方面，本发明提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤；所述在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤，包括：

在所述亲水的结构层的上表面形成亲油材料层；

对所述亲油材料层进行图案化，去除待形成有机半导体层的区域之外的亲油材料，保留位于所述待形成有机半导体层的区域的亲油材料得到亲油层；

采用亲油的有机材料利用湿法工艺在所述亲油层上形成有机半导体层。

进一步的，所述亲水的结构层为栅绝缘层。

进一步的，所述亲油材料层的材料为六甲基二硅胺烷。

进一步的，对所述亲油材料层进行图案化，去除待形成有机半导体层的区域之外的亲油材料，保留位于所述待形成有机半导体层的区域的亲油材料得到亲油层，具体包括：

在所述亲油材料层上涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光显影形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域；

去除光刻胶保留区域的部分光刻胶，并去除光刻胶去除区域的亲油材料；

剥离光刻胶保留区域剩余部分的光刻胶，得到亲油层。

进一步的，去除光刻胶保留区域的部分光刻胶，并去除光刻胶去除区域的亲油材料之后，剥离光刻胶保留区域的部分光刻胶，得到亲油层之前，所述方法还包括：

对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行亲水处理，以提高该区域的亲水的结构层的上表面的亲水性。

进一步的，所述对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行亲水处理包括：

采用表面处理剂对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行清洗；或者

采用离子轰击法对去除了亲油材料的区域的亲水的结构层的上表面进行轰击。

进一步的，所述表面处理剂为苯甲酸或者重氮盐。

进一步的，所述亲油的有机材料为6，13-双(三异丙基硅烷基乙炔基)并五苯。