[发明专利]一种TSV通孔侧壁的平坦化方法

摘要

本发明公开了一种TSV通孔侧壁的平坦化方法，包括以下步骤：首先提供半导体衬底，并对半导体衬底进行刻蚀，以在半导体衬底内得到通孔；接着采用CVD工艺在通孔的侧壁淀积二氧化硅薄膜；再接着采用湿法刻蚀工艺对二氧化硅薄膜进行部分刻蚀；然后采用氟化氙气体对未覆盖二氧化硅薄膜的凸出部进行刻蚀；最后去除通孔侧壁上剩余的二氧化硅薄膜。本发明通过对TSV通孔的侧壁进行平坦化处理，大大改善了扇贝形貌，并能得到具有光滑侧壁的TSV通孔结构，降低了后续填充TSV通孔的难度，例如介质层、阻挡层、种子层的均匀连续沉积，最终减小了TSV器件失效的可能性。

主权项

一种TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、提供半导体衬底，并对所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述半导体衬底内得到通孔；其中，所述通孔的侧壁具有凸出部和凹陷部；步骤S02、采用CVD工艺在所述通孔的侧壁淀积二氧化硅薄膜；步骤S03、采用湿法刻蚀工艺对所述二氧化硅薄膜进行部分刻蚀；其中，使所述通孔侧壁的凸出部暴露在药液中，所述通孔侧壁的凹陷部保留部分二氧化硅薄膜；步骤S04、对未覆盖二氧化硅薄膜的凸出部进行刻蚀；步骤S05、去除所述通孔侧壁上剩余的二氧化硅薄膜。