[发明专利]一种TSV通孔侧壁的平坦化方法

权利要求书

1.一种TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01、提供半导体衬底，并对所述半导体衬底进行刻蚀，以在所述半导体衬底内得到通孔；其中，所述通孔的侧壁具有凸出部和凹陷部；

步骤S02、采用CVD工艺在所述通孔的侧壁淀积二氧化硅薄膜；

步骤S03、采用湿法刻蚀工艺对所述二氧化硅薄膜进行部分刻蚀；其中，使所述通孔侧壁的凸出部暴露在药液中，所述通孔侧壁的凹陷部保留部分二氧化硅薄膜；

步骤S04、对未覆盖二氧化硅薄膜的凸出部进行刻蚀；

步骤S05、去除所述通孔侧壁上剩余的二氧化硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，步骤S04中，通入氟化氙气体对未覆盖二氧化硅薄膜的凸出部进行刻蚀，所述凸出部的刻蚀厚度为

3.根据权利要求2所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，所述氟化氙气体流量为5～15sccm，气体压力为0.5～1Torr。

4.根据权利要求1所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，步骤S02中，所述二氧化硅薄膜的厚度为

5.根据权利要求1所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，步骤S03中，所述二氧化硅薄膜的刻蚀速率不大于所述二氧化硅薄膜的刻蚀厚度为刻蚀时间不小于5min。

6.根据权利要求1所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，步骤S03中，所述湿法刻蚀工艺中的刻蚀药液为DHF、BOE以及APM其中的一种；其中，DHF中的H₂O:HF体积比大于200:1，BOE中的NH₄F:HF的体积比大于10:1，APM中NH₄OH:H₂O₂:H₂O的体积比控制在1:1:20～1:4:5之间，且药液温度不高于80度。

7.根据权利要求1所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，步骤S05中，采用湿法刻蚀工艺去除所述通孔侧壁上剩余的二氧化硅薄膜。

8.根据权利要求7所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，步骤S05中，所述二氧化硅薄膜的刻蚀速率不大于所述二氧化硅薄膜的刻蚀厚度大于

9.根据权利要求7所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中的刻蚀药液为DHF、BOE以及APM其中的一种；其中，DHF中的H₂O:HF体积比大于150:1，BOE中的NH₄F:HF的体积比大于8:1，APM中NH₄OH:H₂O₂:H₂O的体积比控制在1:1:15～1:4:5之间，且药液温度不高于80度。

10.根据权利要求1所述的TSV通孔侧壁的平坦化方法，其特征在于，所述步骤S01具体包括：

步骤S01a、提供形成有硬掩模图形的半导体衬底，所述硬掩模图形与通孔对应；

步骤S01b、以所述硬掩模图形为掩模，刻蚀半导体衬底形成通孔。