[发明专利]太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201510332521.1 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105023959A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 詹锋;倪海桥;卢伟胜;裴康明;牛智川 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 | 代理人： | 杨立华 |
| 地址： | 530004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的正、背面双电极的太阳能电池，该太阳能电池在常规的上下电极结构的基础上，在衬底背面增加补充性的正、负电极，也就是说，除了上表面的pn节以外，在背面再增加补充性的pn节。如此巧妙设计即可大大减少光激发少子到pn节的距离，从而有效地减少复合损耗；同时，在背面建立的pn节电场，还可有效地减少少子向背表面的扩散，从而达到改善背表面复合损耗的目的。此外,该太阳能电池的制作方法工艺简单，能有效改善复合损耗，提高转换效率，适合于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括上下电极结构，其特征在于该太阳能电池的衬底背面具有补充性的正、负电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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