[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括上下电极结构，其特征在于该太阳能电池的衬底背面具有补充性的正、负电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述衬底为半导体衬底，在衬底正面形成发射区，在衬底背面分别形成互相间隔的发射区和基区。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述衬底正面的发射区形成低遮挡的上电极，衬底背面的发射区和基区分别形成不同极性的电极。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于该太阳能电池的正面制备织构面以及形成钝化膜和减反射膜，电池背面形成钝化膜。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：所述电池背面覆盖导电薄膜，且衬底背面的发射区和基区分别连接的导电薄膜之间是隔离的。

6.权利要求5所述太阳能电池的制作方法，其特征在于：采用浅掺杂的n或p型单晶硅或多晶硅材料用作半导体衬底；采用腐蚀或刻蚀法形成电池正面的织构面；电池正面的发射区采用高温掺杂扩散法制得；所述电池正面电极区的局部高浓度掺杂利用掩膜层来进行电极区局部扩散，或采用在电极区丝网印刷高浓度浆料加高温局部扩散法，或在表面均匀涂源进行扩散加选择性腐蚀法；采用热氧化法或PECVD生成正面钝化膜和减反射膜；采用丝网印刷烧结法制作电池的上电极。

7.权利要求6所述太阳能电池的制作方法，其特征在于：采用掩膜层来进行电极区局部扩散或采用在电极区丝网印刷高浓度浆料加高温局部扩散来实现电池背面的发射区和基区具有不同的n型和p型掺杂，其形状为栅状或点状；背面电极或导电薄膜采用丝网印刷烧结法制作，或采用电子束蒸发镀膜，然后经过刻蚀工艺隔离；采用热氧化法或PECVD生成背面钝化膜或绝缘层。