[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201510329843.0 | 申请日： | 2010-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN105023942B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/04;H01L29/06;H01L21/331;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;陈岚 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底；以及所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层包括结晶区域；所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；以及所述栅极绝缘膜上的栅电极，其中，所述结晶区域包括结晶结构，所述结晶结构中c轴垂直于所述第二氧化物半导体层的表面，并且其中，所述第二氧化物半导体层的组成不同于所述第三氧化物半导体层的组成。
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