[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；以及

所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：

第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层包括结晶区域；

所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；

所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极，

其中，所述结晶区域包括结晶结构，所述结晶结构中c轴垂直于所述第二氧化物半导体层的表面，并且

其中，所述第二氧化物半导体层的组成不同于所述第三氧化物半导体层的组成。

2.一种半导体装置，包括：

衬底；以及

所述衬底上的晶体管，所述晶体管包括：

第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层，所述第三氧化物半导体层包括结晶区域；

所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极，

其中，所述结晶区域包括：

第一层，包括铟；以及

第二层，包括锌并且不包括铟，并且

其中，所述第一层和所述第二层在沿着所述结晶区域的c轴的方向上层叠。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，所述第二氧化物半导体层包括锌，并且

其中，所述第三氧化物半导体层包括铟和锌。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括所述第三氧化物半导体层上并电连接到所述第三氧化物半导体层的源电极和漏电极。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层的每个包括锌，并且

其中，所述第一氧化物半导体层中的锌的组成比不同于所述第二氧化物半导体层中的锌的组成比。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

其中，所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层的每个包括铟、镓、锡、铝、镁和锌中的至少一个。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括所述晶体管之下的第一晶体管，其中，所述第一晶体管的沟道包括硅。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括所述晶体管上并与所述晶体管接触的氧化铝层。