[发明专利]具有优化的膜方案的高良率RRAM单元

摘要

本发明涉及一种形成具有良好的良率的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，通过在下部金属互连层上方形成底电极，以及在底电极上形成具有第一厚度的可变电阻的介电数据存储层来实施该方法。在介电数据存储层上形成覆盖层。覆盖层具有第二厚度，第二厚度比第一厚度厚约2倍至约3倍的范围内。在覆盖层上方形成顶电极，以及在顶电极上方形成上部金属互连层。本发明涉及具有优化的膜方案的高良率RRAM单元。

主权项

1.一种形成电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法，包括：在下部金属互连层上方形成底电极；在所述底电极上原位形成具有第一厚度的可变电阻的介电数据存储层；在所述介电数据存储层上形成覆盖层，其中，所述覆盖层具有第二厚度，所述第二厚度比所述第一厚度厚2倍至3倍的范围内；在所述覆盖层上方形成顶电极；以及在所述顶电极上方形成上部金属互连层，其中，使用物理汽相沉积(PVD)工艺形成所述底电极的下部底电极层，随后使用原子层沉积(ALD)形成所述底电极的上部底电极层。