[发明专利]一种石墨烯、其溶胶、粉体及制备方法和制备装置有效
| 申请号： | 201510303286.5 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104925791B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 王钰;赵增华;陈运法;尤伟任;缪小林;顾孙望 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所;江苏中天科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/182 | 分类号： | C01B32/182;C01B32/19 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯桂丽 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯、石墨烯水溶胶，以及石墨烯水溶胶干燥得到的石墨烯粉体，所述石墨烯其边缘含有活性基团，所述活性基团包括氨基基团。本发明所述石墨烯水溶胶的制备方法包括如下步骤将石墨电化学插层剥离获得分散在电解质中的石墨烯；所述电化学插层剥离的电解液中同时含有无机盐和氨基酸；插层后除去溶液中游离的无机盐和氨基酸类化合物，得到石墨烯水溶胶。本发明提供了一种石墨烯水溶胶，避免了基于有机溶剂的石墨烯溶胶中大量有机溶剂的使用，且稳定性好，制备方法简单，易操作，设备材料要求低，环境友好易于工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 溶胶 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种石墨烯的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)将石墨电化学插层剥离获得分散在电解质中的石墨烯；所述电化学插层剥离的电解液中同时含有氨基酸和无机盐；所述无机盐为可溶性硫酸盐或可溶性硝酸盐。
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- 2013-08-23 - 2017-08-08 - C01B32/182
- 本发明涉及石墨烯基泡沫，所述石墨烯基泡沫具有由相互连通且有序的开孔的三维网络限定的结构，所述开孔由孔壁限定，所述孔壁(i)由石墨烯片、经部分还原的氧化石墨烯片、经还原的氧化石墨烯片或其组合形成，并且(ii)其厚度由多个石墨烯片、经部分还原的氧化石墨烯片、经还原的氧化石墨烯片或其组合的厚度限定。
- 一种石墨烯‑碳纳米管三维结构复合材料的制备方法-201510204558.6
- 褚金;张恒;李朝龙;史浩飞 - 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
- 2015-04-27 - 2017-07-07 - C01B32/182
- 本发明公开一种石墨烯‑碳纳米管三维结构复合材料的制备方法。值得说明的是化学气相沉积法(CVD)能制备出均匀的碳纳米材料,其成分及结构易于控制,重复性好,不受基体表面形状的限制，且适合于大批量生产，是目前制备碳纳米材料最为广泛使用的技术手段。然而在连续化制备石墨烯‑碳纳米管三维结构复合材料方面的化学气相沉积技术还尚未见报道。本发明要求保护上述方法所使用的石墨烯微片和碳源同时进入反应器，催化碳纳米管生长并与石墨烯微片原位复合，获得石墨烯‑碳纳米管三维结构复合材料。
- 一种碳纳米管‑石墨烯复合材料及其制备方法-201610867547.0
- 高岩;徐新生 - 潍坊昊晟碳材料有限公司
- 2016-09-30 - 2017-05-10 - C01B32/182
- 本发明涉及一种碳纳米管‑石墨烯复合材料及其制备方法。该制备方法包括如下步骤(1)通过化学气相沉积法制备石墨烯/模板剂复合物；(2)将所述复合物分散在去离子水中，加入硝酸铁和钼酸铵的混合溶液，搅拌，滴加氨水得到混合溶液，所述硝酸铁与钼酸铵的摩尔比为1(0.01‑10)，所述氨水的质量百分比浓度为25％‑30％；(3)将所述混合溶液抽滤、烘干，然后在300‑700℃下煅烧，得到用于制备碳纳米管‑石墨烯复合材料的催化剂。该制备方法利用两次化学气相沉积过程，通过改变石墨烯和碳纳米管的生长条件，控制石墨烯和碳纳米管的结构特征和掺氮情况。
- 耐高温抗氧化导热氧化铝/石墨烯泡沫复合材料的制备方法-201610269066.X
- 封伟;纪滕霄;冯奕钰;秦盟盟 - 天津大学
- 2016-04-26 - 2017-05-03 - C01B32/182
- 本发明涉及耐高温抗氧化导热氧化铝/石墨烯泡沫复合材料的制备方法将氧化石墨烯水溶液置入水热反应釜中，升温至170～200℃并保温10～14小时，待冷却得到的石墨烯水凝胶，将冻干得到的纯石墨烯气凝胶和无水氯化铝粉末加入到溶剂中进行超声分散；将制得的混合悬浊液加入到水热反应釜中升温至180～300℃并保温10～22小时；将制得的石墨烯/氢氧化铝混合溶胶的溶剂置换为去离子水，冷冻干燥，将冷冻干燥后获得的石墨烯/氢氧化铝混合气凝胶以950～1300℃煅烧10～20小时；得到氧化铝/石墨烯泡沫复合材料。复合材料在空气环境下经800℃烧蚀5小时热失重低于60％、热导率高于9W/m·K。
- 专利分类
