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[发明专利]基于弱耦合增强的石墨烯结构、石墨烯膜及光电器件-CN202011612019.3有效
发明人：高超;彭蠡;李泠霏;方文章;刘英军 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供一种基于弱耦合增强的石墨烯结构，这种石墨烯结构通过弱耦合作用是的本体材料具有线性能带特征，促进热电子的跃迁，增加联合态密度；AB结构的存在和厚度的增加配合延长热电子弛豫时间，从而提升高能态热电子数量，同时降低了膜制备工艺的要求和成本，增加了膜制备的成功率。另外，基于石墨烯/半导体肖特基结，可以探测低能量的光，将石墨烯/硅光电器件的探测范围从可见和近红外拓展到中远红外。本发明还提供一种弱耦合增强的石墨烯光电膜，通过弱耦合实现多层石墨烯的光吸收的叠加，提高石墨烯膜的光吸收率，从而在低能量波段，热电子仍然可以积累。
基于耦合增强石墨结构光电器件

[发明专利]一种独立自支撑超薄石墨膜的制备方法-CN202210140361.0有效
发明人：高超;罗诗雨;范沛东;韩占坡;彭蠡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C01B32/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种独立自支撑超薄石墨膜的制备方法。用氧化石墨烯在高温下诱导油溶性木质素形成石墨结构，或用还原氧化石墨烯在高温下诱导水溶性木质素形成石墨结构，以得到石墨膜。本发明采用普通涂膜技术，利用亲水基底，将氧化石墨烯与木质素均匀复合，在基底上刮涂，构建超薄石墨烯复合膜，待膜干后，利用一定的化学物理手段，使得其中一种物质遇水不溶胀，另外一种遇水溶胀。利用氧化石墨烯(水溶性木质素)在水中的溶胀效应，借助水表面张力和渗透力剪切作用，结合不溶胀材料的物理交联作用，将超薄复合膜剥离到水面上，再将膜转移到易挥发溶剂体系，最后借助粗糙多孔板捞取，烘干后就可以得到单独的薄膜。该种技术解决了超薄石墨膜一直存在难以独立自支撑的问题。
一种独立支撑超薄石墨制备方法

[发明专利]基于热焓探针系统测量热等离子体温度方法-CN202310110145.6在审
发明人：王平阳;王建维;彭蠡;杭观荣;郭曼丽;李林 -专利权人：上海交通大学;上海空间推进研究所
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01K13/12 文献下载
摘要：一种温度测量技术领域的基于热焓探针系统测量热等离子体温度方法，包括以下步骤：根据高温等离子体发生器出口尺寸，确定热焓采样探针的尺寸；根据高温等离子体发生器的工作参数预估采样气体流量以及相适应的流经热焓采样探针冷却剂流量；在流经采样热焓探针冷却剂流量不变的前提下，对高温等离子体射流进行两次不同流量的气体采样，根据这两次采样时冷却剂能量的变化实现对所测高温等离子体射流温度的精准测量。本发明通过探究热焓探针测温原理以揭示热焓探针测温原理的内在机制，提出一种新的测量原理以提高测量的精度，可以充分发掘热焓探针测量高温等离子体射流温度的适应潜力，具有重大意义。
基于探针系统测量等离子体温度方法

[发明专利]一种石墨烯碳点的制备方法-CN201910875773.7有效
发明人：彭蠡;高超 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯碳点的制备方法，将可玻璃化的碳材料分两段式进行升温处理，再制成正极材料进行电解，最后经双氧水刻蚀，得到尺寸在20nm以下、量子荧光效率在30‑60％之间石墨烯碳碳点。本发明以聚酰亚胺、聚丙烯腈、沥青及其工业废料或者对应的工业废品作为原料，合理高效地对工业废料及废品进行重复利用，节能又环保。本发明解决了石墨烯碳点在制备过程的掉渣问题，可以制备得到大量结构可控的石墨烯碳点，而且碳点尺寸可控。本发明制备得到的石墨烯碳点可以应用在细胞标记、荧光聚合物、荧光涂层、溯源检测、损伤鉴定、防腐涂料以及材料分散等方面，具有非常广阔的应用前景。
一种石墨烯碳点制备方法

[发明专利]一种缺陷态乱层堆叠石墨烯组装电池材料及其制备方法-CN202010990142.2有效
发明人：彭蠡;方文章;高超 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种缺陷态乱层堆叠石墨烯组装电池材料及其制备方法，此材料具有完全乱层的堆叠结构，以及局域的缺陷态以及内部空间可控的硅填充体积。其中，缺陷态结构一方面提供电容，另一方面提供电解质进出通道，提高库伦效率；乱层堆叠结构，便于石墨烯层间插层，提高插层比例，进而提高电容和充放电速度；纳米硅颗粒则完全充当电容载体。将此三种结构应用于电池材料，三种结构相辅相成，极大的提高电池容量，因此可用于制备高质量容量电池。
一种缺陷态乱层堆叠石墨组装电池材料及其制备方法

[发明专利]基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法-CN202210463642.X有效
发明人：徐杨;陈彦策;刘粒祥;彭蠡;高超 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法，该光电探测器包括单晶锗衬底、氧化铝介质层、二氧化硅氧化层、石墨烯纳米膜、金属电极和SOI顶硅。本发明在石墨烯/锗近红外光电探测器优异性能的基础上，使用厚度可调的石墨烯纳米膜，增加了器件的光吸收及响应波段，在石墨烯纳米膜上垂直堆叠微米级尺度SOI顶硅，形成SOI顶硅/石墨烯纳米膜以及石墨烯纳米膜/单晶锗衬底两个肖特基结，在SOI顶硅和锗上施加两种不同方向偏压的条件下，既能实现对可见光的高响应度探测，又能实现对近红外、中红外光的宽光谱有效探测，将多/宽光谱探测功能集于单个器件，大大缩小了探测器的尺寸，提高了传统硅基器件能效极限。
基于石墨纳米垂直光电探测器制备方法

[发明专利]一种从基底上剥离氧化石墨烯纳米膜的方法-CN202011606430.X有效
发明人：彭蠡;方文章;沈颖;刘英军;俞丹萍;高超 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C01B32/198 文献下载
摘要：本发明提供一种从基底上剥离氧化石墨烯纳米膜的方法，该方法为：置于一具有HI蒸汽的还原室中进行化学还原，在HI的浓度在0.3 g/L以上，且水蒸气的浓度在0.07 g/L以下的环境下还原10min以上，氧化石墨烯从基底自动剥离。本发明减少独立薄膜制备步骤，操作更为简单、廉价、短时；且避免了纳米膜尺寸增加之后AAO膜的强度不够无法承受转移剂重量以及固相转移过程中转移操作困难的问题，保证了大尺寸薄膜的完整性和均匀性。
一种基底剥离氧化石墨纳米方法

[发明专利]一种石墨烯基太赫兹分子检测器件及其制备方法-CN202011411670.4有效
发明人：彭蠡;方文章;高超 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯基太赫兹分子检测器件的制备方法，此方法利用高表面积石墨烯膜为基础材料，此薄膜兼具石墨材料高导电性和石墨烯的高比表面积，对光具有极好的吸收性和电学调制性。将此薄膜贴附于石英表面，刻蚀成固定形状并置于太赫兹光下，随着表面分子浓度的增加，太赫兹透射光谱峰位会随之变化。因此可以制备成太赫兹分子检测器件，用于检测分子残留，尤其可应用于微量检测。
一种石墨烯基太赫兹分子检测器件及其制备方法

[发明专利]一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法-CN202010961320.9有效
发明人：彭蠡;文章;高超 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法，此方法利用简单的热力学调控，通过烧结温度和时间调控，得到了趋向于30度堆叠角度的石墨烯薄膜结构。此薄膜兼具石墨材料稳定性和乱层石墨或者石墨烯的弱耦合电子云状态。将此薄膜上下用金属连接构成欧姆接触，至于磁场下，随着磁场强度波段，石墨烯膜垂直磁阻会随之变化，因此可以制备成磁阻器件，用于检测磁场强度的变化。
一种大面积石墨磁阻器件制备方法

[发明专利]一种石墨烯基生命探测器-CN202110295095.4有效
发明人：高超;沈颖;彭蠡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯基生命探测器，包括红外传感器、伸缩机械臂、信号处理单元和报警器，红外传感器固定在所述伸缩机械臂的前端，红外传感器和报警器分别与信号处理单元相连。所述的红外传感器是由三角形组成的正二十面体结构，该正二十面体结构的表面由半导体、多层石墨烯膜和红外滤光层组成的光电器件，半导体作为基底，多层石墨烯膜铺设于半导体之上，最后再镀一层红外滤光层。通过正二十面体基底结构，以尽可能大的比表面积暴露于环境中，搜索自然灾害后废墟下的生命迹象。使得生命探测器的响应距离得到极大的提升，同时也提高了红外响应的灵敏度、使用便捷性。
一种石墨生命探测器

[发明专利]一种石墨烯基低空机载红外遥感仪-CN202110421413.7有效
发明人：高超;沈颖;彭蠡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯基低空机载红外遥感仪，包括透镜、红外滤光层和像增强器。像增强器包括用于实现光电转换的光电阴极阵列、用于实现电子倍增的微通道板和用于电子成像的荧光屏，所述光电阴极阵列中的光电阴极单元采用由半导体、石墨烯膜组成的光电器件，石墨烯膜铺设于半导体之上。透镜把外界光汇聚，红外滤光层用于对汇聚后的光进行过滤，滤除红外波段以外的光，光电阴极单元对过滤后的光进行光电转换，经微通道板的电子倍增效应后，在荧光屏上实现成像。该红外遥感仪，使得遥感仪的探测高度得到极大的提升，同时也提高了红外响应的灵敏度、温度适应性。
一种石墨低空机载红外遥感

[发明专利]一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法-CN202210225160.0在审
发明人：徐杨;曹小雪;吴少雄;彭蠡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法，将几十纳米厚度薄膜材料转移到衬底上(半导体、聚合物、玻璃等)，采用电子束光刻技术在薄膜表面刻蚀纳米量级图形，EBL胶采用上下两种不同得胶形成倒梯形结构。然后采用电子束蒸发，蒸镀一层铝金属薄膜，利用丙酮剥离，ICP(感应耦合等离干法刻蚀)刻蚀薄膜，200℃通氯气，去除表面铝，即可得到不同线宽的薄膜结构，线宽最小可达到百纳米量级。本发明可以刻蚀几十纳米厚度的薄膜，解决了图形化刻蚀纳米量级薄膜只能刻蚀单层或少层二维材料的问题。
一种材料纳米图形刻蚀方法

[发明专利]一种全碳结构的光调制太赫兹吸收器件的制备方法-CN202011023869.X有效
发明人：彭蠡;文章;高超 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全碳结构的光调制太赫兹吸收器件的制备方法，此方法利用简单的化学组装与还原、分子晶体辅助转移得到独立支撑石墨烯纳米材料，通过烧结温度和时间调控，得到了缺陷可控的石墨烯薄膜结构。此薄膜具有良好的太赫兹透过性或者屏蔽性。将此不同结构的薄膜聚酰亚胺层层层组装形成夹心结构，置于太赫兹光下，随着表面滴加分子浓度的增加，太赫兹透射光谱峰位会随之变化，因此可以制备成太赫兹分子检测器件，用于检测分子残留；同时双层石墨烯纳米膜层皆可以进行光学调控，可用来检测光学强度的变化。此外，利用两种刻蚀方法相结合，不同尺度增加比表面积，在同样分子含量检测的滴加下，其对材料电学性质的改变会更大，太赫兹信号改变也会更大。
一种结构调制赫兹吸收器件制备方法

[发明专利]一种光调制太赫兹分子检测器件的制备方法-CN202011026588.X有效
发明人：彭蠡;文章;高超 -专利权人：杭州高烯科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明公开了一种光调制太赫兹分子检测器件的制备方法，此方法利用简单的化学组装、气液界面分离、热力学调控，通过烧结温度和时间调控，得到了无缺陷的石墨烯薄膜结构。此薄膜具有极低缺的陷态结构，一方面具有良好的面电阻，另一方面具有极好的光学响应性。将此薄膜贴附于石英表面并进行图案化，至于太赫兹光下，随着表面滴加分子浓度的增加，太赫兹透射光谱峰位会随之变化，因此可以制备成太赫兹分子检测器件，用于检测分子残留。
一种调制赫兹分子检测器件制备方法

[发明专利]一种石墨烯基便携式多功能双目红外夜视仪-CN202110506890.3在审
发明人：高超;沈颖;彭蠡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H04N5/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯基便携式多功能双目红外夜视仪，包括电源、激光红外补光灯、显示器以及左右两套组件，每套组件包括透镜、红外滤光层、像增强器和信号处理单元；其特征在于，像增强器包括用于实现光电转换的光电阴极阵列、用于实现电子倍增的微通道板和用于电子成像的荧光屏，所述光电阴极阵列中的光电阴极单元采用由半导体、石墨烯膜组成的光电器件，石墨烯膜铺设于半导体之上。该红外夜视仪，一方面，使得夜视仪的响应距离得到极大的提升，同时也提高了红外响应的灵敏度，提升了使用便捷性、多功能性。
一种石墨便携式多功能双目红外夜视仪

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