[发明专利]高压金属氧化物半导体晶体管元件以及其制造方法有效
| 申请号： | 201510294231.2 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106298923B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 萧世楹;游焜煌 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高压金属氧化物半导体晶体管元件以及其制造方法。上述制造方法包括下列步骤。在半导体基底上形成栅极结构，半导体基底具有第一区和第二区，第一区位于栅极结构的第一部的一侧，而第二区位于栅极结构的第二部的一侧。在半导体基底和栅极结构上形成图案化掩模层，图案化掩模层覆盖半导体基底的第一区和栅极结构的第一部，栅极结构的第二部暴露于图案化掩模层之外。进行一注入制作工艺，用以于第二区中形成一漂移区域。进行一蚀刻制作工艺，用以移除部分的未被图案化掩模层覆盖的栅极结构的第二部。在蚀刻制作工艺之后，第二部的厚度小于第一部的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压金属氧化物半导体(high voltage metal‑oxide‑semiconductor，HV MOS)晶体管元件的制造方法，包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上形成一栅极结构，其中该栅极结构包括第一部以及第二部，该半导体基底具有第一区以及第二区，该第一区位于该栅极结构的该第一部的一侧，而该第二区位于该栅极结构的该第二部的一侧；在该半导体基底以及该栅极结构上形成一图案化掩模层，其中该图案化掩模层覆盖该半导体基底的该第一区以及该栅极结构的该第一部，且该栅极结构的该第二部暴露于该图案化掩模层之外；进行一注入制作工艺，用以于该第二区中形成一漂移区域；以及进行一蚀刻制作工艺，用以移除部分的未被该图案化掩模层覆盖的该栅极结构的该第二部，其中在该蚀刻制作工艺之后，该第二部的厚度小于该第一部的厚度。
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