[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制造方法，在衬底上方设有与衬底形成真空腔的敏感膜层，所述敏感膜层包括位于中部的敏感部，以及位于敏感部边缘、支撑在衬底上的支撑部，其中，敏感部所在的平面低于支撑部，并通过倾斜部与支撑部连接在一起，以使敏感部、倾斜部、支撑部构成阶梯状结构。本发明的MEMS压力传感器，敏感膜层中的敏感部、倾斜部、支撑部具有阶梯状的“下沉”结构，在沉积敏感膜层的过程中，可以使其内应力得到彻底的释放；该敏感膜层的弹性系数较低，可以获得较高的灵敏度；另外，敏感部通过倾斜部与支撑部连接，可以大大降低敏感部对应力变化的敏感性，从而提高了芯片的信噪比，提升了压力传感器的性能。

主权项

一种MEMS压力传感器，其特征在于：包括衬底，以及位于衬底上方并与衬底形成真空腔(8)的敏感膜层(3)，所述敏感膜层(3)包括位于中部的敏感部(3c)，以及位于敏感部(3c)边缘、支撑在衬底上的支撑部(3a)，其中，敏感部(3c)所在的平面低于支撑部(3a)，并通过倾斜部(3b)与支撑部(3a)连接在一起，以使敏感部(3c)、倾斜部(3b)、支撑部(3a)构成阶梯状结构；在所述敏感部(3c)上设置有压敏电阻(4)，所述压敏电阻(4)上设置有供信号引出的引线(6)。