[发明专利]一种场效应半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201510284848.6 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106298918A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应半导体装置，通过将源区的第一导电半导体材料由肖特基结替代，去除了源区半导体材料的设置，优化元胞布局，提高器件元胞密度，提高器件电流密度；本发明还涉及一种场效应半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应半导体装置，其特征在于：包括：体区，为第二导电半导体材料；漏区，为第一导电半导体材料，临靠体区；源区，为肖特基结，位于体区表面；栅极绝缘层，为绝缘材料层，位于漏区和源区之间的体区表面；栅电极，为导电材料，位于绝缘材料层上。
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