[发明专利]提高光耦可靠性的封装结构及封装工艺

摘要

本发明公开了一种提高光耦可靠性的封装结构及封装工艺，所述封装工艺具体包括耦合对准并装架、焊接、包封输入端和输出端、设置高压阻断层以及模压的步骤，其中高压阻断层设置在输入端透明硅胶层和输出端透明硅胶层之间，模压料填充在输入端透明硅胶层、输出端透明硅胶层、高压阻断层外壁与壳体之间。本发明不仅能够提高锡焊温度，使光耦能够在焊接过程中应用SMT贴片锡焊工艺；而且还能够在不需要硅胶表面处理复杂工艺条件下，消除芯片焊接金线与硅胶、模压料之间的应力以及光耦内部的高压击穿路径，在降低生产难度以及生产成本的基础上，有效保证了产品的可靠性。

主权项

提高光耦可靠性的封装结构，包括并列对位安放在壳体内输入端框架（1）和输出端框架（4），所述输入端框架（1）和输出端框架（4）上分别粘接有输入端芯片（3）和输出端芯片（5），输入端芯片和输出端芯片上均焊接有焊接金线；其特征在于：所述输入端芯片（3）和输入端芯片焊接金线（2）外包有球形输入端透明硅胶层（9），输出端芯片（5）和输出端芯片焊接金线（6）外包有球形输出端透明硅胶层（10），输入端透明硅胶层（9）和输出端透明硅胶层（10）之间设置有热塑型透明塑料高压阻断层（11），所述壳体与输入端透明硅胶层、输出端透明硅胶层以及高压阻断层之间填充有模压料（7）；其中，输入端透明硅胶层、输出端透明硅胶层与模压料无粘连，热塑透明塑料高压阻断层（11）与模压料粘连。