[发明专利]提高光耦可靠性的封装结构及封装工艺

权利要求书

1.提高光耦可靠性的封装结构，包括并列对位安放在壳体内输入端框架（1）和输出端框架（4），所述输入端框架（1）和输出端框架（4）上分别粘接有输入端芯片（3）和输出端芯片（5），输入端芯片和输出端芯片上均焊接有焊接金线；其特征在于：所述输入端芯片（3）和输入端芯片焊接金线（2）外包有球形输入端透明硅胶层（9），输出端芯片（5）和输出端芯片焊接金线（6）外包有球形输出端透明硅胶层（10），输入端透明硅胶层（9）和输出端透明硅胶层（10）之间设置有热塑型透明塑料高压阻断层（11），所述壳体与输入端透明硅胶层、输出端透明硅胶层以及高压阻断层之间填充有模压料（7）；其中，输入端透明硅胶层、输出端透明硅胶层与模压料无粘连，热塑透明塑料高压阻断层（11）与模压料粘连。

2.提高光耦可靠性的封装工艺，其特征在于包括以下步骤：

第一步．采用导电浆料将光耦的输入端芯片和输出端芯片分别粘接在输入端框架和输出端框架上，并使输入端框架和输出端框架左右并列对位安放在壳体内；

第二步．将焊接金线分别焊接在输入端芯片和输出端芯片上；

第三步．将输入端芯片和输入端芯片焊接金线采用透明硅胶包封形成输入端透明硅胶层，将输出端芯片和输出端芯片焊接金线采用透明硅胶包封形成输出端透明硅胶层；

第四步．在输入端透明硅胶层和输出端透明硅胶层之间注入热塑型透明塑料形成高压阻断层；

第五步，向壳体内注入模压料，模压即完成封装。

3.根据权利要求2所述的提高光耦可靠性的封装工艺，其特征在于：第四步中所述热塑型透明塑料的熔点温度低于模压步骤温度，模压封装后热塑透明塑料与模压料粘连，形成高压阻断层。