[发明专利]一种LTPS阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201510271973.3 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104867878A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈归;薛景峰 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;H01L27/28 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LTPS阵列基板及其制作方法，该阵列基板的制作方法包括，对覆盖在薄膜晶体管上面的有机膜层进行蚀刻以形成第一过孔，所述第一过孔使所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；在所述第一过孔内形成保护层以覆盖在源极或漏极所在的金属层上；通过至少一次蚀刻将在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层蚀刻掉，使所述像素电极与所述保护层接触。该方法可以有效地防止在加工过孔时对源极或漏极的过度刻蚀，简单快键，易于利用现有的生产线进行推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ltps 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作LTPS阵列基板的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一、对覆盖在薄膜晶体管上面的有机膜层进行蚀刻以形成第一过孔，所述第一过孔使所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；步骤二、在所述第一过孔内形成保护层以覆盖在源极或漏极所在的金属层上；步骤三、通过至少一次蚀刻将在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层蚀刻掉，使所述像素电极与所述保护层接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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