[发明专利]一种LTPS阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器的加工制造领域，尤其涉及一种LTPS阵列基板及其制作方法。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly Silicon，LTPS)是广泛用于平板电脑、移动通信设备等中小电子产品中的一种液晶显示技术。与传统的非晶硅液晶显示器相比，低温多晶硅液晶显示器具有解析度高、反应速度快、开口率大、显示亮度高等诸多优点。同时，低温多晶硅液晶显示器可以将周边驱动电路也制作在玻璃基板上，有利于减少联结组件，可以节省空间与生产成本以及提高产品的可靠性和稳定性。

但是另一方面，由于LTPS半导体器件的体积小、集成度高，所以整个LTPS阵列基板的制备工艺复杂，生产周期较长，且由于每一步刻蚀都难于控制，因此增加了各层膜加工工艺的误差。其中，断路会对LTPS阵列基板的性能造成极大的影响，而对LTPS半导体器件的源漏极的过度刻蚀是造成断路的一个主要原因。目前，在过孔加工工艺中需要对源漏极进行多次刻蚀，刻蚀量过大或过小都将增加像素电极与源漏极之间的接触阻抗，若将源漏极完全刻蚀掉，将造成阵列基板的失效。而现有技术中，还没有很好的控制刻蚀量的方法，严重影响了LTPS阵列基板的性能。

综上，亟需一种能够改善LTPS阵列基板的性能的加工方法以解决上述问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题之一是需要提供一种改善LTPS阵列基板的性能的加工方法。

为了解决上述技术问题，本申请的实施例首先提供了一种制作LTPS阵列基板的方法，包括：步骤一、对覆盖在薄膜晶体管上面的有机膜层进行蚀刻以形成过孔，所述过孔使所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；步骤二、在所述第一过孔内形成保护层以覆盖在源极或漏极所在的金属层上；步骤三、通过至少一次蚀刻将在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层蚀刻掉，使所述像素电极与所述保护层接触。

优选地，当形成保护层的材料为用于形成公共电极的电极材料时，步骤一具体包括，蚀刻所述有机膜层形成第一过孔，所述第一过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露。

优选地，当形成保护层的材料为用于形成公共电极的电极材料时，步骤二具体包括，在所述有机膜层上涂覆用于形成公共电极的电极材料层，所述电极材料层同时填充于所述第一过孔内并与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层接触；图案化所述电极材料层形成公共电极和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述公共电极与所述保护层绝缘。

优选地，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触控板的金属材料时，步骤一具体包括，在所述有机膜层上图案化形成公共电极；蚀刻所述有机膜层形成第一过孔，所述第一过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露。

优选地，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触控板的金属材料时，步骤二具体包括，在所述公共电极上涂覆一层金属材料层，所述金属材料层同时填充于所述第一过孔内并与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层接触；图案化所述金属材料层形成内嵌触控板和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述内嵌触控板与所述保护层绝缘。

优选地，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触控板的金属材料时，步骤二具体包括，在形成有所述公共电极的有机膜层上沉积一层绝缘层；蚀刻所述绝缘层形成第二过孔，同时将第一过孔内沉积的绝缘层蚀刻掉，所述第一过孔使薄膜晶体管的第二金属层显露，所述第二过孔使所述公共电极显露；在所述绝缘层上涂敷一层金属材料层，所述金属材料层同时填充于所述第一过孔内以及所述第二过孔内，并分别与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层以及所述公共电极接触；图案化所述金属材料层形成内嵌触控板和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述内嵌触控板与所述保护层绝缘。

优选地，所述在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层包括钝化层，步骤三具体包括，蚀刻所述钝化层至所述第一过孔内的保护层显露；在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极同时在所述第一过孔内并与所述保护层接触。

本申请的实施例还提供了一种制作LTPS阵列基板的方法，该方法包括：在预制LTPS阵列基板上沉积形成有机膜层；在所述有机膜层上图案化形成公共电极；蚀刻所述有机膜层形成过孔，所述过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；在形成有所述公共电极的有机膜层上先后形成绝缘层、内嵌触控板以及钝化层；依次蚀刻所述钝化层与所述绝缘层至所述过孔内的源极或漏极所在的金属层显露；在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极同时在所述过孔内与所述源极或漏极所在的金属层接触。