[发明专利]一种LTPS阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种制作LTPS阵列基板的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤一、对覆盖在薄膜晶体管上面的有机膜层进行蚀刻以形成第一过孔，所述第一过孔使所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；

步骤二、在所述第一过孔内形成保护层以覆盖在源极或漏极所在的金属层上；

步骤三、通过至少一次蚀刻将在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层蚀刻掉，使所述像素电极与所述保护层接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成公共电极的电极材料时，所述步骤一具体包括，

蚀刻所述有机膜层形成第一过孔，所述第一过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成公共电极的电极材料时，所述步骤二具体包括，

在所述有机膜层上涂覆用于形成公共电极的电极材料层，所述电极材料层同时填充于所述第一过孔内并与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层接触；

图案化所述电极材料层形成公共电极和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述公共电极与所述保护层绝缘。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触控板的金属材料时，所述步骤一具体包括，

在所述有机膜层上图案化形成公共电极；

蚀刻所述有机膜层形成第一过孔，所述第一过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触控板的金属材料时，所述步骤二具体包括，

在所述公共电极上涂覆一层金属材料层，所述金属材料层同时填充于所述第一过孔内并与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层接触；

图案化所述金属材料层形成内嵌触控板和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述内嵌触控板与所述保护层绝缘。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当形成保护层的材料为用于形成内嵌触控板的金属材料时，所述步骤二具体包括，

在形成有所述公共电极的有机膜层上沉积一层绝缘层；

蚀刻所述绝缘层形成第二过孔，同时将第一过孔内沉积的绝缘层蚀刻掉，所述第一过孔使薄膜晶体管的第二金属层显露，所述第二过孔使所述公共电极显露；

在所述绝缘层上涂敷一层金属材料层，所述金属材料层同时填充于所述第一过孔内以及所述第二过孔内，并分别与所述薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层以及所述公共电极接触；

图案化所述金属材料层形成内嵌触控板和位于所述第一过孔内的保护层，同时使所述内嵌触控板与所述保护层绝缘。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述在形成像素电极之前形成的覆盖所述保护层的多层膜层包括钝化层，所述步骤三具体包括，

蚀刻所述钝化层至所述第一过孔内的保护层显露；

在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极同时在所述第一过孔内并与所述保护层接触。

8.一种制作LTPS阵列基板的方法，该方法包括：

在预制LTPS阵列基板上沉积形成有机膜层；

在所述有机膜层上图案化形成公共电极；

蚀刻所述有机膜层形成过孔，所述过孔使薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层显露；

在形成有所述公共电极的有机膜层上先后形成绝缘层、内嵌触控板以及钝化层；

依次蚀刻所述钝化层与所述绝缘层至所述过孔内的源极或漏极所在的金属层显露；

在所述钝化层上图案化形成像素电极，所述像素电极同时在所述过孔内与所述源极或漏极所在的金属层接触。

9.一种LTPS阵列基板，包括设置于薄膜晶体管的源极或漏极所在的金属层与像素电极之间的第一过孔，以及设置于所述第一过孔底部的保护层，其中所述保护层覆盖在所述源极或漏极所在的金属层上面且与所述像素电极电连接。

10.根据权利要求9所述的LTPS阵列基板，所述保护层的材料为导体材料，所述导体材料包括用于形成公共电极的电极材料或用于形成内嵌触控板的金属材料。